[实用新型]一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车

说明书

本实用新型提供一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车。其中晶体管包括砷化镓基板，砷化镓基板上设置有第一DBR层，第一DBR层上设置有N型砷化镓渐变层，N型砷化镓渐变层上设置有N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层，N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层上设置有第二DBR层，第二DBR层上的一侧设置有P型磷化镓层，第二DBR层上的另一侧设置有VCSEL结构金属触点，P型磷化镓层上的一侧设置有LED结构金属触点，P型磷化镓层上的另一侧设置有N型砷化镓集电极衬底层。区别于现有技术，上述技术方案可以在一个晶体管芯片上实现多个功能，在电路设计时候只需要针对一个芯片进行设计，而且电路板占用面积可以大大减少。

技术领域

本实用新型涉及晶体管技术领域，尤其涉及一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车。

背景技术

随着科技的不断进步，汽车上的电子功能越越来越多，这就需要更多的电子芯片和传感器等。现有的芯片每个都有独立的封装，在电路上需要设计多个封装，而且电路板上占用的面积也较大，成本较高。

实用新型内容

为此，需要提供一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车，解决现有多芯片造成的设计麻烦、成本高的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种基于砷化镓的集成晶体管，包括砷化镓基板，砷化镓基板上设置有第一DBR层，第一DBR层上设置有N型砷化镓渐变层，N型砷化镓渐变层上设置有N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层，N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层上设置有第二DBR层，第二DBR层上的一侧设置有P型磷化镓层，第二DBR层上的另一侧设置有VCSEL结构金属触点，P型磷化镓层上的一侧设置有LED结构金属触点，P型磷化镓层上的另一侧设置有N型砷化镓集电极衬底层，N型砷化镓集电极衬底层上设置有N型砷化镓集电极层，N型砷化镓集电极层上设置有P型砷化镓基极层，P型砷化镓基极层上设置有N型磷化镓铟发射极层，N型磷化镓铟发射极层上设置有N型砷化镓铟接触层，HBT结构金属触点分别设置在N型砷化镓集电极衬底层、P型砷化镓基极层、N型砷化镓铟接触层上，砷化镓基板底面正对着LED结构金属触点和VCSEL结构金属触点处分别设置有金属触点，P型磷化镓层与VCSEL结构金属触点之间、N型砷化镓集电极衬底层与LED结构金属触点之间分别设置有底部在砷化镓基板的凹槽。

进一步地，所述LED结构金属触点设置在VCSEL结构金属触点与HBT结构金属触点之间。

本实用新型提供一种汽车，包括有控制电路板，所述控制电路板上设置有晶体管，所述晶体管为上述的基于砷化镓的集成晶体管。

进一步地，所述汽车为无人驾驶汽车。

区别于现有技术，上述技术方案可以在一个晶体管芯片上实现多个功能，在电路设计时候只需要针对一个芯片进行设计，而且电路板占用面积可以大大减少。

附图说明

图1为具体实施方式的晶体管的生产过程初级产品结构示意图；

图2为具体实施方式的具体管的结构示意图。

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。

为了详细说明本申请，下面先对本申请中出现的英文名称给出对应的中文解释：