[实用新型]异质结太阳能电池有效
| 申请号： | 201721642375.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN207441731U | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨苗;郁操;徐希翔 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0224;H01L31/05 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;江怀勤 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本征非晶硅层 晶硅基 异质结太阳能电池 本实用新型 负电极 正电极 光电转化效率 正极 串联电阻 电池芯片 反面设置 正面设置 负极 正反面 焊带 减小 串联 | ||
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：
晶硅基底；
所述晶硅基底的正面设置有第一本征非晶硅层；
所述第一本征非晶硅层上设置有第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层；所述第一N型非晶硅层上设置有第一负电极，所述第一P型非晶硅层上设置有第一正电极；
所述晶硅基底的反面设置有第二本征非晶硅层；
所述第二本征非晶硅层上设置有第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层；所述第二N型非晶硅层上设置有第二负电极，所述第二P型非晶硅层上设置有第二正电极。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一N型非晶硅层和所述第一P型非晶硅层之间绝缘设置；所述第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层之间绝缘设置。
3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括：
分别设置在所述第一N型非晶硅层和所述第一P型非晶硅层上的第一透明导电层；
分别设置在所述第二N型非晶硅层和所述第二P型非晶硅层上的第二透明导电层；
所述第一负电极和所述第一正电极均设置在所述第一透明导电层上；
所述第二负电极和所述第二正电极均设置在所述第二透明导电层上。
4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一负电极和所述第一正电极之间或所述第二负电极和所述第二正电极之间通过焊带连接。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一N型非晶硅层的边缘与所述第二P型非晶硅层的边缘在垂直于所述晶硅基底的方向上对齐；所述第一P型非晶硅层的边缘与所述第二N型非晶硅层的边缘在垂直于所述晶硅基底的方向上对齐。
6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一正电极、所述第一负电极、所述第二正电极和所述第二负电极均包括细栅线和主栅线。
7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述细栅线的直径的范围值为20～60um。
8.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述主栅线的数量为2-6根。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于君泰创新（北京）科技有限公司，未经君泰创新（北京）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721642375.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
