[实用新型]阵列基板及显示屏

说明书

本实用新型涉及一种阵列基板，其包括：复合衬底，包括底衬底层、以及形成在底衬底层上的顶衬底层；第一走线层，设置于底衬底层与顶衬底层之间；第一走线层包括若干第一走线；以及驱动结构层，形成于复合衬底上；驱动结构层包括形成于复合衬底上的主体层、以及形成于主体层上的数据线层；数据线层包括若干数据线；阵列基板还开设有若干贯穿主体层以及顶衬底层的过孔；数据线通过过孔与相对应的第一走线电连接。上述阵列基板，将第一走线设置在复合衬底中，直接可以通过背面进行邦定，从而可以不用非AA区弯折的情况下，甚至可以在不设计非AA区的情况，即可以实现全面屏显示。本实用新型还公开了一种显示屏。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示屏。

背景技术

目前，全面屏大多依靠将非AA区弯折到屏体的背面来实现。但是，弯折区存在应力集中的问题；并且由于膜层堆叠，外围膜层的伸缩量大于内层，容易导致膜层与膜层的分离问题(即Peeling)，屏体的弯折可靠性低。

因此，亟需一种新的全面屏设计。

实用新型内容

基于此，提供一种新的能够实现全面屏的阵列基板。

一种阵列基板，包括：

复合衬底，包括底衬底层、以及形成在所述底衬底层上的顶衬底层；

第一走线层，设置于所述底衬底层与所述顶衬底层之间；所述第一走线层包括若干第一走线；

以及驱动结构层，形成于所述复合衬底上；

所述驱动结构层中的引线通过过孔与相对应的所述第一走线电连接。

上述阵列基板，将第一走线设置在复合衬底中，直接可以通过背面进行邦定，从而可以不用非AA区弯折的情况下，甚至可以在不设计非AA区的情况，即可以实现全面屏显示。

在其中一个实施例中，所述第一走线层与所述底衬底层之间还设有用于保护所述底衬底层的保护层。

在其中一个实施例中，所述保护层的厚度为20nm～40nm。

在其中一个实施例中，所述保护层为硅的氧化物层、或硅的氮化物层。

在其中一个实施例中，所述第一走线层的厚度为200nm～700nm。

在其中一个实施例中，所述底衬底层的厚度为2μm～3μm。

在其中一个实施例中，所述顶衬底层的厚度为1μm～3μm。

在其中一个实施例中，所述第一走线位于所述阵列基板的邦定区。

在其中一个实施例中，所述底衬底层在邦定区上开设有漏出所述第一走线的邦定孔。

本实用新型还提供了一种显示屏。

一种显示屏，所述显示屏包括本实用新型所提供的阵列基板。

上述显示屏，由于采用本实用新型所提供的阵列基板，故而直接可以通过背面进行邦定，从而可以不用非AA区弯折的情况下，甚至可以在不设计非AA区的情况，即可以实现全面屏显示。

附图说明

图1为本实用新型一实施方式的阵列基板的过孔处的剖面结构示意图。

图2为图1中的阵列基板的复合衬底另一角度的剖面结构示意图。

图3为图1中的第一走线在保护层上的分布示意图。

图4为本实用新型另一实施方式的第一走线在保护层上的分布示意图。

具体实施方式