[实用新型]感光电路及具有感光电路的感光单元

权利要求书

1.一种感光电路，其特征在于，所述感光电路包括感光管和阻抗元件，所述感光管包括悬浮栅，所述感光管还包括栅极端、漏极端和源极端，所述源极端接地，所述漏极端与所述阻抗元件连接，所述阻抗元件的阻值大于所述感光管导通时的内阻，所述栅极端被施加不足以使所述感光管导通的高电平时，所述感光管的阈值电压为第一阈值电压，所述感光管具有第一阈值电压时，所述栅极端被光照且同时被施加扫描电压至所述感光管导通时，所述感光管的阈值电压由所述第一阈值电压升为第二阈值电压，所述感光管的光照强度通过所述第一阈值电压和所述第二阈值电压计算。

2.如权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述栅极端被施加不足以使所述感光管导通的高电平的时长大于或等于预设时长时，所述感光管的阈值电压稳定为所述第一阈值电压。

3.如权利要求2所述的感光电路，其特征在于，所述栅极端被施加不足以使所述感光管导通的高电平的时长小于所述预设时长时，所述感光管的阈值电压小于所述第一阈值电压，且所述感光管的阈值电压随着加压时长的增加而增加，在加压时长大于或等于所述预设时长时，所述感光管的阈值电压稳定为所述第一阈值电压。

4.如权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述感光管被施加扫描电压至所述感光管导通时的导通电压等于所述第二阈值电压。

5.如权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述感光管的漏极端与源极端的电压为输出电压，所述感光管未导通时，所述输出电压为高电平，所述感光管导通时，所述输出电压为低电平。

6.如权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述感光管包括导电沟道，所述导电沟道邻近所述漏极端和所述源极端，所述悬浮栅邻近所述栅极端，所述感光管被施加电压时，位于所述导电沟道的电子隧穿至所述悬浮栅，所述悬浮栅束缚电子，所述感光管的阈值电压因而升高。

7.如权利要求6所述的感光电路，其特征在于，所述悬浮栅由氧化锌制成，所述导电沟道由铟镓锌氧化物制成。

8.如权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述感光管为包括所述悬浮栅的NMOS管，所述阻抗元件为NMOS管；或者所述感光管为包括所述悬浮栅的PMOS管，所述阻抗元件均为PMOS管。

9.如权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述感光管为包括所述悬浮栅的NMOS管或PMOS管，所述阻抗元件为阻值大于所述感光管导通时的内阻的电阻。

10.如权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述感光管为包括所述悬浮栅的非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管和MOSFET管中的至少一种。

11.一种感光单元，包括控制器和感光电路，所述控制器与所述感光电路电性连接，其特征在于，所述感光电路包括感光管和阻抗元件，所述感光管包括悬浮栅，所述感光管还包括栅极端、漏极端和源极端，所述源极端接地，所述漏极端与所述阻抗元件连接，所述阻抗元件的阻值大于所述感光管导通时的内阻，所述栅极端被施加不足以使所述感光管导通的高电平时，所述感光管的阈值电压为第一阈值电压，所述感光管具有所述第一阈值电压时，所述栅极端被光照且同时被施加扫描电压至所述感光管导通时，所述感光管的阈值电压由所述第一阈值电压升为第二阈值电压，所述感光管的光照强度通过所述第一阈值电压和所述第二阈值电压计算。