[实用新型]一种高效节能二极管有效
申请号: | 201721654732.8 | 申请日: | 2017-12-02 |
公开(公告)号: | CN207925482U | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 刘梦珠 | 申请(专利权)人: | 深圳市嘉兴南电科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L23/13 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 二极管壳体 透镜 二极管底座 高效节能二极管 发光二极管 二极管 变焦组件 引线架 发射 本实用新型 圆柱体结构 发光晶片 发光组件 组件包括 焦距 聚焦槽 碗内壁 下表面 光路 近焦 反射 封装 节能 | ||
本实用新型公开了一种高效节能二极管,包括二极管壳体组件、变焦组件和发光组件,所述二极管壳体组件包括二极管底座、二极管壳体和引线架,所述二极管壳体为圆柱体结构,所述二极管底座位于所述二极管壳体的下方,且与所述二极管壳体固定连接,所述引线架固定安装于所述二极管底座的下表面,所述变焦组件包括近焦透镜和远焦透镜;通过在发射碗内壁上设置多个聚焦槽,使发光晶片发射出的散乱光线,经过发射碗的反射,令光路更加密集,减少光资源的浪费,使发光二极管更加高效,并在封装上设置了可以改变焦距的透镜,根据需求进行安装,从而提高了发光二极管的亮度,降低二极管的电流,使二极管更加节能。
技术领域
本实用新型属于电子元件技术领域,具体涉及一种高效节能二极管。
背景技术
二极管电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能,大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为功能,二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过,反向时阻断,二极管可以想成电子版的逆止阀。
原有发光二极管在通电使用时,由于其光源处的设置的聚光件边沿过浅,并只通过封装的形式,设置一个聚光透镜,所以发光二极管的聚光效果并不好,导致发光二极管的光浪费率较高,往往通过增大电流的形式提高亮度,造成二极管发热较多,并不能很好的达到节能效果。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高效节能二极管,以解决上述背景技术中提出原有发光二极管在通电使用时,由于其光源处的设置的聚光件边沿过浅,并只通过封装的形式,设置一个聚光透镜,所以发光二极管的聚光效果并不好,导致发光二极管的光浪费率较高,往往通过增大电流的形式提高亮度,造成二极管发热较多,并不能很好的达到节能效果。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种高效节能二极管,包括二极管壳体组件、变焦组件和发光组件,所述二极管壳体组件包括二极管底座、二极管壳体和引线架,所述二极管壳体为圆柱体结构,所述二极管底座位于所述二极管壳体的下方,且与所述二极管壳体固定连接,所述引线架固定安装于所述二极管底座的下表面,所述变焦组件包括近焦透镜和远焦透镜,所述远焦透镜位于所述二极管壳体的上表面,且与所述二极管壳体固定连接,所述远焦透镜的外侧设有所述近焦透镜,且所述远焦透镜与所述近焦透镜固定连接,所述发光组件包括阴极杆、发射碗、发光晶片、连接线、阳极杆和导电胶,所述阴极杆位于所述二极管壳体的内部,且与所述二极管壳体固定连接,所述阴极杆的顶端设有所述发射碗,且与所述发射碗固定连接,所述发射碗为碗状,所述发光晶片位于所述发射碗内,且与所述发射碗通过所述导电胶固定连接,所述连接线一端固定有所述发光晶片,且所述连接线的另一端固定有所述阳极杆,所述发射碗的内表壁上设有聚焦槽,所述聚焦槽为圆形凹槽。
优选的,所述远焦透镜的上表面为第一圆弧面,所述远焦透镜的外侧壁上设有阳螺纹。
优选的,所述近焦透镜的上表面为第二圆弧面,所述第二圆弧面的直径曲率大于所述第一圆弧面的曲率。
优选的,所述近焦透镜的内表壁上开设有阴螺纹,所述阴螺纹与所述阳螺纹螺接固定。
优选的,所述引线架数量为两个,且分别对应安装在所述阴极杆和所述阳极杆的下方,所述阴极杆和所述阳极杆均与所述引线架固定连接。
优选的,所述二极管壳体、近焦透镜和远焦透镜均为透明材质。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过在发射碗内壁上设置多个聚焦槽,使发光晶片发射出的散乱光线,经过发射碗的反射,令光路更加密集,减少光资源的浪费,使发光二极管更加高效,并在封装上设置了可以改变焦距的透镜,根据需求进行安装,从而提高了发光二极管的亮度,降低二极管的电流,使二极管更加节能。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的立体结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市嘉兴南电科技有限公司,未经深圳市嘉兴南电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721654732.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及阵列基板
- 下一篇:一种高压使用的二极管
- 同类专利
- 专利分类