[实用新型]一种扇出型天线封装结构有效

专利信息
申请号: 201721662203.2 申请日: 2017-12-04
公开(公告)号: CN207503965U 公开(公告)日: 2018-06-15
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠;吴政达;林章申 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L23/31;H01Q1/38
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 重新布线层 下表面 半导体芯片 电连接 天线封装 引出导线 扇出型 焊球 焊球下金属层 本实用新型 天线结构 塑封层 单层 凸块 凸块下表面 外接天线 散热片 基板 包围
【权利要求书】:

1.一种扇出型天线封装结构,其特征在于,所述扇出型天线封装结构包括:

单层天线结构;

形成于所述单层天线结构下表面的重新布线层;

形成于所述重新布线层下表面的至少一个半导体芯片,所述半导体芯片包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,其中,所述半导体芯片的第一表面与所述重新布线层电连接;

形成于所述半导体芯片两侧的重新布线层下表面、且与所述重新布线层电连接的引出导线;

形成于所述重新布线层下表面、且包围所述半导体芯片及所述引出导线的塑封层;

形成于所述塑封层下表面、且与所述引出导线电连接的焊球下金属层;

形成于所述焊球下金属层下表面的焊球凸块;

形成于所述焊球凸块下表面、且与所述焊球凸块电连接的基板;以及

形成于所述半导体芯片第二表面的散热片。

2.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述单层天线结构包括具有开口的第一介质层,及形成于所述开口中的第一金属线层;所述重新布线层包括至少一层由第二介质层及第二金属线层构成的叠层结构;所述焊球下金属层包括具有开口的第三介质层,及形成于所述开口中的第三金属线层。

3.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述扇出型天线封装结构还包括形成于所述重新布线层及所述半导体芯片第一表面之间的连接焊球。

4.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述基板包括基板本体,及设于所述基板本体上的接触焊盘,其中,所述基板本体上设有一贯通所述基板本体以暴露所述半导体芯片的通孔。

5.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述扇出型天线封装结构还包括形成于所述半导体芯片第二表面及所述散热片之间的粘附层。

6.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述焊球凸块包括金属柱,及形成于所述金属柱下表面的焊球。

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