[实用新型]一种低本底α、β测量电路有效
| 申请号： | 201721677826.7 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN207601320U | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 金炳华 | 申请（专利权）人： | 北京高能科迪科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/00 | 分类号： | G01T1/00 |
| 代理公司： | 北京智沃律师事务所 11620 | 代理人： | 王继胜 |
| 地址： | 102600 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射线 比较器芯片 与门芯片 单稳态 测量 本实用新型 测量电路 控制芯片 脉冲信号 芯片 负脉冲信号 比较电压 测量装置 成型脉冲 符合信号 输出 多路 记录 两路 | ||
1.一种低本底α、β测量电路，其特征在于：包括α射线比较器芯片、β射线比较器芯片、控制芯片、单稳态芯片、与门芯片；所述α射线比较器芯片用于一路α射线输入，实现对α射线的测量；所述β射线比较器芯片用于两路β射线输入，输出连接到单稳态芯片，单稳态芯片产生β射线的正负成型脉冲，输出到与门芯片；所述与门芯片还输入有γ射线反符合信号经单稳态输出的负脉冲信号，实现了β射线的测量；所述控制芯片与α射线比较器芯片、β射线比较器芯片相连接，用于调整比较器芯片的比较电压，所述控制芯片还包括两个中断输入，分别用于记录α射线的脉冲信号和记录β射线的脉冲信号。
2.根据权利要求1所述的低本底α、β测量电路，其特征在于：所述控制芯片包括四个PWM输出，用于产生DA信号，实现自动调整γ射线反符合输入的高压和三路比较器的比较电压。
3.根据权利要求1所述的低本底α、β测量电路，其特征在于：所述α射线比较器芯片采用LM311-1芯片。
4.根据权利要求1所述的低本底α、β测量电路，其特征在于：所述β射线比较器芯片采用LM393芯片。
5.根据权利要求1所述的低本底α、β测量电路，其特征在于：所述β射线比较器芯片包括低阈比较器和高阈比较器，单稳态芯片实现两路β射线输入，一路是β射线经低阈比较器输出的脉冲信号，一路是β射线经高阈比较器输出的脉冲信号，输出从低比较器输出的正信号和从高比较器输出的负脉冲信号，用于产生β射线的正负成型脉冲。
6.根据权利要求1所述的低本底α、β测量电路，其特征在于：所述单稳态芯片集成在控制芯片中，所述控制芯片采用74LS123芯片。
7.根据权利要求1所述的低本底α、β测量电路，其特征在于：所述与门芯片采用74LVC1G11芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京高能科迪科技有限公司，未经北京高能科迪科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721677826.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于空时结构的时域均衡抗干扰算法天线
- 下一篇：一种土壤γ剂量率检测仪
