[实用新型]具有侧面反射层的发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

基板，具有侧面；

半导体叠层，布置于所述基板下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层；

欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；

第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，布置于所述欧姆反射层下部，分别电连接于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；

侧面反射层，覆盖所述基板的侧面；以及

覆盖层，覆盖所述基板的上表面及所述侧面反射层。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括夹设于所述基板的侧面与所述侧面反射层之间的透光性物质层。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，

所述基板包括四个侧面，

所述透光性物质层及侧面反射层覆盖所述基板的四个侧面。

4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述透光性物质层包括ITO、ZnO、Si₃N₄、SiNx、SiON或者SiO₂。

5.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述透光性物质层及所述侧面反射层的下部端部相互对齐。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述侧面反射层包括反射金属层及阻挡层。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述反射金属层及阻挡层的上部端部位于所述基板的上表面外侧。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡层的上部端部位于高于所述反射金属层的上部端部的位置。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述基板包括相对于所述第一导电型半导体层的上表面垂直的侧面及相对于所述垂直的侧面倾斜的侧面，

所述倾斜的侧面比所述垂直的侧面更远离所述基板的上表面。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，

所述倾斜的侧面为通过划线工艺形成的面，

所述垂直的侧面为通过裂片形成的面。

11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述覆盖层包括SiO₂、SiON、SiNx、ITO、底涂剂或SOG。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

包括布置于所述第一导电型半导体层上的台面，

所述台面包括所述活性层及所述第二导电型半导体层，

所述台面从所述侧面隔开，

所述侧面反射层与所述台面沿横向隔开布置。

13.如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，并包括第一开口部及第二开口部，所述第一开口部使所述第一导电型半导体层暴露，所述第二开口部使所述欧姆反射层暴露；

第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，且通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；

第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，且通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及

上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，

其中，所述第一凸起焊盘与第二凸起焊盘布置于所述上部绝缘层上，而通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部分别连接于所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层。