[实用新型]一种复合衬底及半导体器件结构

权利要求书

1.一种复合衬底，其特征在于，所述复合衬底包括：

生长衬底；

外延缓冲层，位于所述生长衬底上表面；

凸起结构，呈周期性间隔分布于所述外延缓冲层上表面；所述凸起结构为半导体介质膜层；

图形化保护层，位于所述凸起结构与所述外延缓冲层之间，且位于所述凸起结构的正下方。

2.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述凸起结构包括至少一层半导体介质层。

3.根据权利要求2所述的复合衬底，其特征在于：所述半导体介质膜层包括SiO₂层、Si₃N₄层、SiON_x层或DBR层中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述凸起结构的形状为圆柱形、方柱形、圆锥形、子弹头形或条形。

5.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述图形化保护层包括金属层或/和金属氧化物层。

6.根据权利要求5所述的复合衬底，其特征在于：所述金属层的材料包括镍或钛；所述金属氧化物层的材料包括氧化钛或铟锡氧化物。

7.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述图形化保护层的厚度为10埃～500埃。

8.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：

如权利要求1至7中任一项所述的复合衬底；

外延过渡层，填满所述凸起结构之间的间隙并完全覆盖所述凸起结构；

N型外延层，位于所述外延过渡层表面；

量子阱层，位于所述N型外延层表面；

P型外延层，与所述量子阱层表面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括：

N电极，位于所述N型外延层表面；

P电极，位于所述P型外延层表面。

10.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括：

P电极，位于所述P型外延层表面；

N电极，位于所述生长衬底远离所述外延缓冲层的表面。