[实用新型]一种用于PECVD设备的进气混合装置有效
申请号: | 201721690902.8 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN207699665U | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 李致文;余仲;张勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/455 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 尹彦;胡朝阳 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 进气 引管 进气混合装置 本实用新型 工艺气体 混气通道 出气口 混气盒 迷宫式 充分混合 反应状态 反应室 连通 保证 | ||
本实用新型公开了一种用于PECVD设备的进气混合装置,包括第一进气引管、第二进气引管和出气口,还包括一分别与所述第一进气引管、所述第二进气引管和出气口连通的混气盒,所述混气盒内设有迷宫式的混气通道。本实用新型通过增加迷宫式的混气通道,保证两种工艺气体在送至PECVD设备的反应室之前已充分混合,使工艺气体达到最佳的反应状态。
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,特别涉及一种用于PECVD设备的进气混合装置。
背景技术
随着光伏行业的发展,行业内对设备的要求也越来越高,其中主要生产设备包括有PECVD(等离子体增强化学的等离子气相沉积法)设备。该设备是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。在用于光伏电池基片的生产中,电池基片的表面需要在PECVD设备的反应室内沉积一层薄膜,该薄膜膜厚的均匀性为电池基片主要的性能参数,图1为现有的PECVD设备中工艺气体进入反应室前的工艺气体输送装置,该装置包括第一进气引管3和第二进气引管4,把两种工艺气体直接汇聚后通过出气口5送至反应室内,这种混合方式容易造成工艺气体混合不够充分,导致镀膜工艺出现偏差,影响薄膜膜厚的均匀性。
实用新型内容
本实用新型为了解决上述现有技术中存在的技术问题,提出一种用于PECVD设备的进气混合装置。
本实用新型采用的技术方案是:
一种用于PECVD设备的进气混合装置,包括第一进气引管、第二进气引管和出气口,还包括一分别与所述第一进气引管、所述第二进气引管和出气口连通的混气盒,所述混气盒内设有迷宫式的混气通道。
在一实施例中,所述混气盒包括一座体,其相对的侧边设有多个向内伸出、相互错开且与对面侧边隔开的挡板,和一与所述座体密封连接形成混气通道的盖板;所述第一进气引管和第二进气引管设置在所述混气盒的一端,所述出气口设置在所述混气盒的另一端。
在另一实施例中,所述混气盒包括第一混气盒和第二混气盒,第一混气盒和第二混气盒的座体相互层叠固定在一起,所述第一混气盒的混气通道出口与所述第二混气盒的混气通道进口连通,第一进气引管、第二进气引管与出气口设置在同一端。
所述出气口为并排设置的多个出气孔。
所述第一混气盒上设有可安装螺钉与PECVD反应室内壁固定的通孔。
与现有技术比较,本实用新型的优点在于:
本实用新型通过增加迷宫式的混气通道,保证工艺气体在送至PECVD设备的反应室之前就能充分混合,使工艺气体达到最佳的反应状态。并且采用了两个混气盒平行贴靠的设计,使混气通道为上下两层首尾连通,在较小的占用范围内使混气通道有效延长,进一步改善了工艺气体的混合程度。
附图说明
图1为现有技术中的工艺气体输送装置;
图2为本实用新型的外观图;
图3为本实用新型第二混气盒隐藏第二盖板的结构示意图;
图4为本实用新型第一混气盒隐藏第一盖板的结构示意图;
图5为本实用新型与PECVD设备的反应室配合的局部截面图。
具体实施方式
下面结合附图以及实施例对本实用新型的原理及结构进行详细说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司,未经深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721690902.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自带密封门的推送机构和带该机构的反应炉
- 下一篇:用于化学浴沉积的设备
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的