[实用新型]再生差分检测器

权利要求书

1.一种电路，其特征在于所述电路包括：

第一平方律检测器，其用于响应于经调制差分信号的第一线路的下降电压及所述经调制差分信号的第二线路的下降电压而提供用于指示第一功率电平的第一输出电流；

第二平方律检测器，其用于响应于所述经调制差分信号的所述第一线路的上升电压及所述经调制差分信号的所述第二线路的上升电压而汲取用于指示第二功率电平的第二输出电流，其中所述第二输出电流具有与所述第一输出电流相反的方向；及

交叉耦合锁存器，其用于锁存由所述第一及第二功率电平指示的状态。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于所述第一平方律检测器包含第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管经耦合以在所述第一PMOS晶体管的栅极处接收所述经调制差分信号的所述第一线路的所述下降电压；且包含第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管经耦合以在所述第二PMOS晶体管的栅极处接收所述调制差分信号的所述第二线路的所述下降电压，且其中所述第二平方律检测器包含第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管经耦合以在所述第一NMOS晶体管的栅极处接收所述经调制差分信号的所述第一线路的所述上升电压，且包含第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管经耦合以在所述第二NMOS晶体管的栅极处接收所述经调制差分信号的所述第二线路的所述上升电压。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于所述电路包括用于接收用于指示所述第一功率电平的所述第一输出电流的NMOS负载晶体管及用于提供用于指示所述第二功率电平的所述第二输出电流的PMOS负载晶体管。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于响应于用于指示由所述第一平方律检测器提供且由所述NMOS负载晶体管汲取的所述第一功率电平的所述第一输出电流且响应于用于指示由第二平方律检测器汲取且由所述PMOS负载晶体管提供的所述第二功率电平的所述第二输出电流而确定所述状态。

5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于所述交叉耦合锁存器响应于所述第一及第二PMOS晶体管中的一者改变电流源而切换。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于所述交叉耦合锁存器包含第一及第二反相器，其中第一输出电压在第一反相器的输入处确证，且第二输出电压在第二反相器的输入处确证。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述第一反相器的输出耦合到所述第二反相器的所述输入，且所述第二反相器的输出耦合到所述第一反相器的所述输入。

8.根据权利要求2所述的电路，其特征在于所述第一及第二PMOS晶体管以及所述第一及第二NMOS晶体管根据跨导的作用或亚阈值模式而偏置。

9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于所述电路包括用于将传输器与所述第一及第二平方律检测器电流隔离的变压器，其中所述传输器用于传输所述经调制差分信号。

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于所述电路包括第一及第二耦合网络，其用于将所述变压器的输出分别耦合到所述第一及第二平方律检测器的输入。

11.根据权利要求6所述的电路，其特征在于所述电路经布置以执行包络检测，其用于指示编码在所述经接收调制差分信号中的信息。

12.根据权利要求11所述的电路，其特征在于所述第一输出电压及所述第二输出电压被确证为用于指示所述经检测包络的差分输出。

13.根据权利要求1所述的电路，其特征在于所述交叉耦合锁存器的部分布置在所述第一平方律检测器的部分与所述第二平方律检测器的部分之间。