[实用新型]高速数据录取存储系统有效
申请号: | 201721698897.5 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN207441244U | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 王江泉;徐聪;冯文飞;韩洁;毛洪川 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十七研究所 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11394 | 代理人: | 轩文君 |
地址: | 450000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 速率差 高速数据存储 阈值比较电路 本实用新型 运算放大器 存储器 存储系统 调控电路 高速数据 减法运算 速率检测 高速数据传输 主存储器存储 备用存储器 存储器存储 连接存储器 并行存储 并行冗余 差值电压 电路连接 主存储器 总线技术 阈值比较 减法器 两级 电路 保证 输出 调控 检测 | ||
1.高速数据录取存储系统,包括速率检测与速率差电路、速率差与阈值比较电路、存储器调控电路,其特征在于,速率检测与速率差电路连接速率差与阈值比较电,速率差与阈值比较电路连接存储器调控电路;
所述存储器调控电路包括稳压管Z1,稳压管Z1的负极连接速率差与阈值比较电路的输出端,稳压管Z1的正极分别连接电阻R8的一端、电容C3的一端,电阻R8的另一端和电容C3的另一端连接三极管Q1的基极,三极管Q1的集电极连接电源+4.5V,三极管Q1的发射极分别连接继电器K1线圈一端、晶闸管VTL1的阳极、稳压管Z2的负极,继电器K1线圈另一端连接地,晶闸管VTL1的控制极分别连接稳压管Z2的正极、接地电阻R9的一端、接地电容C4的一端,晶闸管VTL1的阴极连接三极管Q2的基极,三极管Q2的集电极连接电源+5V,三极管Q2的发射极连接继电器K2线圈一端,继电器K1线圈另一端和继电器K2线圈另一端均连接地,继电器K1公共端、继电器K2公共端、电解电容E1的正极、电解电容E2的正极均连接电源+5V,电解电容E1的负极分别连接继电器K1的常开触点、接地电阻R10的一端、主存储器H3的引脚2,主存储器H3的引脚1连接电源+5V,主存储器H3的引脚3连接地,电解电容E2的负极分别连接继电器K2的常开触点、接地电阻R11的一端、备用存储器H4的引脚2,备用存储器H4的引脚1连接电源+5V,备用存储器H4的引脚3连接地。
2.根据权利要求1所述的高速数据录取存储系统,其特征在于,所述速率检测与速率差电路包括高速数据传输速率传感器H1、存储器存储速率传感器H2,高速数据传输速率传感器H1的引脚1连接电源+5V,高速数据传输速率传感器H1的引脚3连接地,高速数据传输速率传感器H1的引脚2分别连接接地电容C1的一端、电阻R1的一端,电阻R1的另一端连接运算放大器AR1的反相输入端、电阻R4的一端,电阻R4的另一端连接运算放大器AR1的输出端、电阻R7的一端,存储器存储速率传感器H2的引脚1连接电源+5V,存储器存储速率传感器H2的引脚3连接地,存储器存储速率传感器H2的引脚2分别连接接地电容C2的一端、电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接运算放大器AR1的同相输入端、接地电阻R3的一端,运算放大器AR1的引脚4连接地,运算放大器AR1的引脚7连接电源+5V。
3.根据权利要求1所述的高速数据录取存储系统,其特征在于,所述速率差与阈值比较电路包括运算放大器AR2,运算放大器AR2的同相输入端连接电阻R7的另一端,运算放大器AR2的反相输入端连接可变电阻RP1的中间端,可变电阻RP1的上端连接电阻R5的一端,电阻R5的另一端连接电源+5V,可变电阻RP1的下端连接电阻R6的一端,电阻R6的另一端连接地,运算放大器AR1的输出端连接稳压管Z1的负极。
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