[实用新型]一种晶体外延结构有效
| 申请号： | 201721698988.9 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN207542257U | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚;和田修 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶格失配层 晶体外延 衬底 本实用新型 晶格匹配层 第二表面 第一表面 半导体器件领域 半导体器件性能 单调递减 单调递增 晶格常数 依次设置 应变状态 位错 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体外延结构，其特征在于，包括：
衬底(1)，具有相对的第一表面(11)和第二表面(12)；
晶格匹配层(2)和第二晶格失配层(4)，依次设置在所述第一表面(11)上；
第一晶格失配层(3)，设置在所述第二表面(12)上；
所述第一晶格失配层(3)、所述衬底(1)以及所述第二晶格失配层(4)的晶格常数单调递增或单调递减。
2.根据权利要求1所述的晶体外延结构，其特征在于，所述第一晶格失配层(3)包括晶格渐变层(31)和晶格稳定层(32)。
3.根据权利要求1所述的晶体外延结构，其特征在于，所述第二晶格失配层(4)包括晶格过渡层(41)和晶格失配功能层(42)。
4.根据权利要求1所述的晶体外延结构，其特征在于，所述晶格匹配层(2)包括依次堆叠设置的第一子电池层(21)、第一隧穿结(22)、第二子电池层(23)以及第二隧穿结(24)。
5.根据权利要求1所述的晶体外延结构，其特征在于，所述第一表面(11)和所述晶格匹配层(2)之间还依次设置有缓冲层(5)和腐蚀剥离层(6)。
6.根据权利要求1所述的晶体外延结构，其特征在于，所述衬底(1)的厚度为300μm。
7.根据权利要求1所述的晶体外延结构，其特征在于，所述衬底(1)为抛光面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
