[实用新型]一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置

权利要求书

1.一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置，包括炉体（17）、定位在炉腔内的合成与晶体生长系统及其配套的加热系统、测温系统、保温系统和控制系统，其特征在于，所述合成与晶体生长系统包括侧面设有籽晶容纳腔（9-1）的坩埚（9）和设置在其水平一侧的挥发元素承载器（6），所述挥发元素承载器（6）借助注入管（8）与坩埚（9）连通实现水平注入合成；所述炉体（17）借助配套的旋转机构具有旋转自由度，实现水平注入合成后旋转垂直温度梯度晶体生长。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述注入管（8）末端背离或倾斜式远离挥发元素承载器（6）。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述注入管（8）为多段式，末段倾斜式远离挥发元素承载器（6），与挥发元素承载器（6）呈60°-85°夹角。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述合成与晶体生长系统中还包括装载所述坩埚（9）和挥发元素承载器（6）的装载架（5），所述装载架（5）配套设置密封盖（5-1），密封盖（5-1）上设有排气口（5-1-1）。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述装载架（5）为石英、碳化硅、氮化硼或陶瓷材质。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热系统结构中包括套设在合成与晶体生长系统外围的多段加热器（3）；所述保温系统结构中包括套设在加热系统外部的保温套（18）。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述测温系统结构中包括分别用于测定坩埚（9）内籽晶容纳腔（9-1）区域、合成与晶体生长部（9-2）区域和挥发元素承载器（6）区域的温度的热电偶a（14）、热电偶c（1）和/或热电偶d（13）和/或热电偶e（12）、热电偶b（4）。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述旋转机构驱动电机和与驱动电机输出轴连接的减速器，所述减速器输出轴借助联轴器与炉体旋转轴（17-1）连接，炉体（17）借助炉体旋转轴（17-1）限位在支架（17-2）上。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述坩埚（9）与挥发元素承载器（6）之间借助隔热板（2）隔开；所述坩埚（9）配套设置具有支撑和保护作用的坩埚支撑（16）。