[实用新型]定位结构以及晶片加工设备有效
| 申请号： | 201721701698.5 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN207587713U | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 吴航;张海东;张新泉;陈聪 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透气陶瓷 定位结构 位件 晶片加工设备 底座 真空通路 吸附 粉尘 废水 本实用新型 反吹 晶片 吸入 沾污 释放 | ||
1.一种定位结构，其特征在于，包括：
底座；
第一透气陶瓷层，位于所述底座上；以及
真空通路，位于所述底座内，用于将待定位件吸附于所述第一透气陶瓷层表面，
其中，所述第一透气陶瓷层的面积小于所述待定位件与所述定位结构的接触面，使得所述待定位件将所述第一透气陶瓷层完全覆盖。
2.根据权利要求1所述的定位结构，其特征在于，所述待定位件为具有一个平边的圆形，所述第一透气陶瓷层为圆形，所述第一透气陶瓷层的直径小于等于所述待定位件的平边中点到其所对弧边最远端的距离。
3.根据权利要求1所述的定位结构，其特征在于，还包括：
隔离环，位于所述第一透气陶瓷层的外边界。
4.根据权利要求3所述的定位结构，其特征在于，所述隔离环为非透气陶瓷隔离环。
5.根据权利要求3所述的定位结构，其特征在于，所述隔离环一体形成于所述底座上。
6.根据权利要求3所述的定位结构，其特征在于，还包括：
第二透气陶瓷层，位于所述底座上，并且位于所述隔离环的外缘。
7.根据权利要求6所述的定位结构，其特征在于，所述第一透气陶瓷层为圆形，所述隔离环以及所述第二透气陶瓷层为与所述第一透气陶瓷层同心的圆环形。
8.根据权利要求1所述的定位结构，其特征在于，所述真空通路包括中心通路单元以及位于所述中心通路单元外周的至少一条周部通路单元。
9.根据权利要求1所述的定位结构，其特征在于，所述底座为非透气陶瓷底座。
10.一种晶片加工设备，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的定位结构对晶片进行定位。
11.根据权利要求10所述的晶片加工设备，其特征在于，所述第一透气陶瓷层为直径105至115毫米的圆形。
12.根据权利要求10所述的晶片加工设备，其特征在于，所述晶片加工设备为减薄机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
