[实用新型]高边输出三晶体模块电路

权利要求书

1.一种高边输出三晶体模块电路，其特征在于包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、储能延时单元、阈值调整单元和电阻(R1)，其中：

所述第一晶体管的发射极接电源正极，所述第一晶体管集电极通过电阻(R1)连接地，所述第一晶体管的集电极还连接第三晶体管的输入端和储能延时单元的输入端，所述第三晶体管的正极端接电源正极，所述第三晶体管的输出端连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的基极连接所述储能延时单元的输出端，所述储能延时单元的正极端接电源正极，所述第二晶体管的发射极通过所述阈值调整单元连接所述第一晶体管的基极，所述第三晶体管输出端作为所述高边输出三晶体模块电路的输出端，用于控制外部负载的热端；

当所述第三晶体管正常导通时，所述储能延时单元储能，所述第二晶体管集电极电压被抬高、使所述第二晶体管的发射极电流为0进而使所述第一晶体管截止；当所述第三晶体管过流致使所述第三晶体管饱和压降超过所述阈值调整单元导通阈值电压时，所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止得到保护，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若过流解除则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若持续过流则所述第三晶体管过高的饱和压降通过所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止继续得到保护。

2.根据权利要求1所述的高边输出三晶体模块电路，其特征在于还包括：

二极管(D6)和电阻(R6)，所述二极管(D6)的负极同时连接所述第二晶体管集电极和所述电阻(R6)的一端，所述二极管(D6)的正极连接所述第三晶体管输出端，所述电阻(R6)的另一端连接所述第三晶体管输出端或接地。

3.一种高边输出三晶体模块电路，其特征在于包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、储能延时单元、阈值调整单元、电阻(R1)和二极管(D6)，其中：

所述第一晶体管的发射极接电源正极，所述第一晶体管集电极通过电阻(R1)接地，所述第一晶体管的集电极还连接第三晶体管的输入端和储能延时单元的输入端，所述第三晶体管的正极端接电源正极，所述第三晶体管的输出端通过所述二极管(D6)连接所述第二晶体管的发射极，所述第二晶体管的基极连接所述储能延时单元的输出端，所述第二晶体管的集电极接地或连接所述第三晶体管的输出端，所述储能延时单元的正极端接电源正极，所述第二晶体管的发射极通过所述阈值调整单元连接所述第一晶体管的基极，所述第三晶体管输出端作为所述高边输出三晶体模块电路的输出端，用于控制外部负载的热端；

当所述第三晶体管正常导通时，所述储能延时单元储能，所述第二晶体管的发射极电压被抬高使所述阈值调整单元和所述第一晶体管截止；当所述第三晶体管过流致使所述第三晶体管饱和压降超过所述阈值调整单元导通阈值电压时，所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止得到保护，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若过流解除则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若持续过流则所述第三晶体管过高的饱和压降通过所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止继续得到保护。

4.根据权利要求3所述的高边输出三晶体模块电路，其特征在于：

在所述第二晶体管的集电极回路或发射极回路上串接有限流电阻。