[实用新型]一种晶体探测器有效
申请号: | 201721715007.7 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN207623541U | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 林振华;伯努瓦·瓦特傅依;卢国能;张庆泽 | 申请(专利权)人: | 天津华放科技有限责任公司 |
主分类号: | G01T1/202 | 分类号: | G01T1/202;G01T1/208;G01T1/178 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300000 天津市南开区宜宾道*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电二极管 传感器 晶体探测器 中央控制器 电性连接 探测通道 探测 包裹膜 活度 反射 本实用新型 能量分辨率 圆柱形结构 低放射性 高放射性 连接面 输出端 输入端 探测器 保证 | ||
本实用新型提供一种晶体探测器,包括晶体块、反射包裹膜、SiPM传感器、光电二极管、探测通道选择开关和中央控制器,所述晶体块为圆柱形结构,所述SiPM传感器和所述光电二极管安装在所述晶体块的外表面,所述反射包裹膜分别设置在除晶体块与SiPM传感器、光电二极管连接面外的其他外表面,此设置可加强探测器探测能量分辨率,所述探测通道选择开关与所述SiPM传感器、光电二极管均为电性连接,所述中央控制器的输入端与所述探测通道选择开关电性连接,所述中央控制器的输出端与所述SiPM传感器和光电二极管均为电性连接。设置的SiPM传感器和光电二极管保证晶体探测器探测范围,能够实现对高放射性活度与低放射性活度的晶体探测。
技术领域
本实用新型涉及晶体的技术领域,具体涉及一种晶体探测器。
背景技术
在放射性探测方面最为方便适用高效的探测手段为闪烁晶体连接光电转化器件进行分析测量,闪烁晶体反射率与光收集率界定了放射性射线探测的能量分辨率和探测宽度范围,特别是在利用多阵列闪烁体成像方面能量分辨率或闪烁晶体对光子计数要求。目前现有技术普遍采用光电倍增管(PMT)和SIPM作为弱光单光子计数探测器,但常常无法满足强放射性活度的探测,引起弱光单光子技术探测器的饱和。在核医学核素成像或放射性计数过程当中,特别是前端放射性核素合成过程当中,对放射性核素的质量控制尤其重要,而最新合成放射性核素放射性活度可达到居里级别,经闪烁体释放出来的光子数足以饱和弱光单子计数探测器探测的数值,随着放射性核素在自然衰变过程中的放射性活度降低,后期才能被弱光单子计数探测器所使用。
实用新型内容
鉴于此,本实用新型的主要目的在于解决现有技术中存在的问题,提供一种晶体探测器。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种晶体探测器,包括晶体块、反射包裹膜、SiPM传感器、光电二极管、探测通道选择开关和中央控制器,所述晶体块为圆柱形结构,所述SiPM传感器和所述光电二极管安装在所述晶体块的外表面,所述反射包裹膜分别设置在除晶体块与SiPM传感器、光电二极管连接面外的其他外表面,所述探测通道选择开关与所述SiPM传感器、光电二极管均为电性连接,所述中央控制器的输入端与所述探测通道选择开关电性连接,所述中央控制器的输出端与所述SiPM传感器和光电二极管均为电性连接。
优选地,所述SiPM传感器和所述光电二极管以晶体块为中心对称设置。
优选地,所述晶体块由单个或多个闪烁体晶体晶条组成。
优选地,所述闪烁体晶体晶条的外表面设置有全反射膜。
优选地,所述晶体块与所述SiPM传感器和光电二极管之间均通过高透光粘结剂相连接。
优选地,所述高透光粘结剂为光学胶。
与现有技术相比,本实用新型提供了一种晶体探测器,具备的优点和有益效果是:
(1)通过设置有SiPM传感器和光电二极管相结合,使得晶体探测器对高、低放射性活度可兼容,有效扩大了放射性活度检测的范围,从而实现晶体探测器适用范围更广。
(2)通过反射包裹膜和高透光粘结剂的使用,有效增强了光的采集以提高探测能量的分辨率和探测效率,成本小且结构简单。
附图说明
图1是本实用新型的一种晶体探测器的结构示意图;
图2是本实用新型的一种晶体探测器的电路原理连接图;
图3是本实用新型的一种晶体探测器的工作过程流程图。
图中:1-晶体块;2-反射包裹膜;3-SiPM传感器;4-光电二极管;5-探测通道选择开关;6-中央控制器。
具体实施方式
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