[实用新型]一种高压STD整流扩散片

说明书

本实用新型公开了一种高压STD整流扩散片，包括第一焊片和环氧树脂封体，所述第一焊片的两侧对称焊接有整流芯片，两个所述整流芯片远离第一焊片的一侧均通过第二焊片连接有凸台，所述凸台远离第二焊片的一侧连接有第一铜引线，所述第一铜引线远离凸台的一端连接有第二铜引线，且第二铜引线远离第一铜引线的一端连接有第三铜引线，所述整流芯片、第一焊片和第二焊片的外壁均设有保护胶层，且保护胶层、凸台、第一铜引线均被封装于环氧树脂封体的内部。本实用新型结构简单，易操作，抗涌能力好，适用于高压整流，能够保护扩散片不会受力破裂，保证了扩散片的高压整流作用，适宜广泛推广。

技术领域

本实用新型涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种高压STD整流扩散片。

背景技术

目前，大于2000V的高压整流二极管芯片的制造难度较大，由于高电压要求其具有比较大的空间电荷层扩展空间以及比较低的PN结终端的表面电场强度。而常规的整流二极管工艺中浓硼的扩散层严重影响了空间电荷区的扩展，击穿优先发生在表面，从而使二极管的击穿电压比理想的偏低。如要达到高反向击穿电压，只能通过增加衬底的电阻率、硅片的厚度和钝化沟槽的深度来实现，但制造成本和硅片的碎片率也会随之增加。目前，现有的整流二极管通过其引线安装在电子线路板上，起到整流作用。若要在高压线路里实现整流，那么就需要将多个整流二极管串联才能使用，这样，不仅占用空间大，而且使用也不方便，另外，生产成本也高。现有的整流二极管的引线多为圆柱形，一方面，使用时整流二极管易晃动，影响了上部铜电极与芯片之间的焊接强度，另一方面，热胀冷缩严重时会导致芯片破裂，造成整流二极管失效。

实用新型内容

为了解决上述背景技术中提到的问题，本实用新型提供一种高压STD整流扩散片。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种高压STD整流扩散片，包括第一焊片和环氧树脂封体，所述第一焊片的两侧对称焊接有整流芯片，两个所述整流芯片远离第一焊片的一侧均通过第二焊片连接有凸台，所述凸台远离第二焊片的一侧连接有第一铜引线，所述第一铜引线远离凸台的一端连接有第二铜引线，且第二铜引线远离第一铜引线的一端连接有第三铜引线，所述整流芯片、第一焊片和第二焊片的外壁均设有保护胶层，且保护胶层、凸台、第一铜引线均被封装于环氧树脂封体的内部。

优选地，所述整流芯片包括N型半导体和P型半导体，所述N型半导体的下端设有阴极电极层，所述P型半导体的上端设有阳极电极层，所述N型半导体和P型半导体的侧壁设有钝化沟槽，且钝化沟槽内设有玻璃钝化层，所述P型半导体的上端设有二氧化硅氧化膜。

优选地，两个所述整流芯片之间串联连接。

优选地，所述第一铜引线的外壁套接有环形固定块，且环形固定块封装于环氧树脂封体的内部。

优选地，所述第二铜引线为螺旋形结构，且第二铜引线的外壁套接有保护胶套。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：N型半导体和P型半导体通过电耦合连接，且组成一组PN结，两个整流芯片之间串联连接，其整体在电路板中的工作电压是两个整流芯片的工作电压之和，能够承受电路板中的高压，从而有效提高了扩散片的反向击穿电压，整流芯片、第一焊片和第二焊片的外壁均设置有保护胶层，起到保护作用，保护胶层、凸台、第一铜引线均被封装于环氧树脂封体的内部，实现了良好的绝缘性，使用时更加的安全，第二铜引线为螺旋形结构，螺旋形结构的第二铜引线可以缓冲第三铜引线对整流芯片的冲击力和弯曲力，从而使得整流芯片不会受力破裂，延长整流芯片的工作寿命。本实用新型结构简单，易操作，抗涌能力好，适用于高压整流，能够保护扩散片不会受力破裂，保证了扩散片的高压整流作用，适宜广泛推广。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型整流芯片的结构示意图。