[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中形成有源区、隔离各所述有源区的沟槽隔离结构、多条字线以及所述半导体衬底上形成多条位线；

位线隔离结构，形成于所述半导体衬底上并覆盖所述位线；其中，所述有源区上形成接触窗，形成于所述位线隔离结构之间，并且所述接触窗底部显露所述有源区的源极区；

源极触点，设置于所述有源区在相邻两所述字线之外的源极区上并位于所述接触窗底部；

间隔壁，形成于所述位线隔离结构在所述接触窗内的侧壁上，在所述间隔壁下端面与所述源极触点之间形成有扩展间隙，相邻所述间隔壁之间形成为通道孔，所述扩展间隙与所述间隔壁之间的所述通道孔连通；

存储节点接触，形成于所述源极触点上，所述存储节点接触依照高度分为形成于所述通道孔内的填孔部以及填充于所述扩展间隙的扩展底部，使得所述扩展底部在和所述源极触点的接合面积不小于所述填孔部沿水平方向截取的截面积。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区包括在所述半导体衬底中形成的多条棒状有源区，所述沟槽隔离结构位于所述棒状有源区之间，所述棒状有源区与所述沟槽隔离结构沿第一方向交替排列在所述半导体衬底上，所述字线沿第二方向掩埋于所述半导体衬底中，并且所述第一方向和所述第二方向相交，所述位线沿第三方向设置在所述半导体衬底表面，并且所述第三方向与所述第二方向垂直。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位线触点，设置于所述有源区在相邻两所述字线之间的漏级区上并位于所述位线和所述有源区的交迭区域中。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述扩展间隙的高度不大于15nm。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述位线隔离结构包括：

第一隔离层，形成于所述位线上；及

第二隔离层，形成于所述位线侧壁、所述第一隔离层侧壁和顶部；

所述第二隔离层包括：

内层绝缘层，设置于所述位线和所述第一隔离层侧面；

氧化层，设置于所述内层绝缘层侧面上；及

外层绝缘层，设置于所述氧化层侧面。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述存储节点接触包括：

金属接合层，设置在所述源极触点显露的端面上；

第一导电层，设置在所述金属接合层上，并一体设置于所述间隔壁、所述扩展间隙以及所述位线隔离结构上；及

第二导电层，设置在所述第一导电层上，以填充所述接触窗，并且所述第二导电层覆盖在所述位线隔离结构的顶部以包裹所述第一导电层。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述存储节点接触还具有高于所述位线隔离结构且一体延伸的电容接触部，所述电容接触部的一侧局部延伸至所述位线隔离结构上，所述电容接触部的另一侧由缺口界定，所述缺口局部蚀除所述位线隔离结构，以使所述电容接触部的上表面中心点相对偏离所述扩展底部的接合面中心点。