[实用新型]一种用以装载晶圆的晶舟及扩散炉有效
申请号: | 201721722795.2 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN207503940U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 谢峰 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/683 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 承托结构 晶舟 晶舟盒 扩散炉 吸附孔 炉管 装载 本实用新型 急剧变化 吸附固定 颗粒物 内侧壁 掉落 抖动 承托 吸附 摩擦 污染 | ||
本实用新型提供了一种用以装载晶圆的晶舟及扩散炉,适用于炉管工艺中,其中,包括:晶舟盒;承托结构,设置于晶舟盒的内侧壁上,用以承托晶圆;吸附孔,设置于承托结构上,用以吸附放置于承托结构上的晶圆。其技术方案的有益效果在于,将晶圆放置于晶舟中的承托结构上时,通过承托结构上设置的吸附孔可将晶圆吸附固定于承托结构上,可有效避免因为炉管内的温度的急剧变化造成晶圆在承托结构上出现抖动,解决了晶圆与承托结构之间的摩擦形成颗粒物掉落于晶圆上造成晶圆污染的问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体设备技术领域,尤其涉及一种用以装载晶圆的晶舟及扩散炉。
背景技术
在半导体制造技术中,炉管工艺必不可少,它是将晶圆放在晶舟中,然后在炉管中对放置于晶舟中的晶圆进行升温处理,然后通过化学反应长出一层高品质的薄膜。在这个升温乃至长膜的过程中,控制颗粒物污染问题至关重要。而现有的在晶舟升至高温区的过程中,由于温度的急剧变化,晶圆会在晶内出现抖动情况,而正是由于这种剧烈的抖动使晶圆与晶舟之间产生摩擦,再加上热效应的存在,极易产生颗粒物也就是污染物,而产生的颗粒物会落在下面的晶圆上,对晶圆造成污染。
发明内容
针对现有技术中在放置于晶舟内的晶圆存在的上述问题,现提供一种可将晶圆吸附固定于承托结构上,避免放置于晶舟中的晶圆在炉管工艺中出现抖动造成颗粒物掉落于晶圆使晶圆出现污染问题的晶舟以及扩散炉。
具体技术方案如下:
一种用以装载晶圆的晶舟,适用于炉管工艺中,其中,包括:
晶舟盒;
承托结构,设置于所述晶舟盒的内侧壁上,用以承托晶圆;
吸附孔,设置于所述承托结构上,用以吸附放置于所述承托结构上的所述晶圆。
优选的,所述晶舟盒的内侧壁上设置有多个所述承托结构。
优选的,相邻的所述承托结构之间的间隔相同。
优选的,所述承托结构包括;
一对承托板,所述一对承托板相对设置于所述晶舟盒的内侧壁上,用以承托放置的所述晶圆;
所述吸附孔开设于每个承托板的顶部,通过所述吸附孔吸附放置于所述承托板上且覆盖所述吸附孔的所述晶圆。
优选的,相对设置的所述一对承托板之间设置有一预定间隔。
优选的,所述预定间隔小于所述晶圆的宽度。
优选的,还包括一通气管道,所述通气管道设置于所述晶舟盒的盒体内部,并与所述承托的所述吸附孔连通;
所述通气管道的相对于所述吸附孔的一端连接有一抽气设备。
优选的,所述晶舟的材质由石英材质制成。
优选的,所述抽气设备为真空泵。
还包括一种扩散炉,其中,所述扩散炉中设置有上述的晶舟。
上述技术方案具有如下优点或有益效果:将晶圆放置于晶舟中的承托结构上时,通过承托结构上设置的吸附孔可将晶圆吸附固定于承托结构上,可有效避免因为炉管内的温度的急剧变化造成晶圆在承托结构上出现抖动,解决了晶圆与承托结构之间的摩擦形成颗粒物掉落于晶圆上造成晶圆污染的问题。
附图说明
图1为本实用新型一种用以装载晶圆的晶舟的实施例的整体结构示意图。
附图标记:
1、晶舟盒、21、承托板;3、吸附孔;4、通气管道。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造