[实用新型]晶舟以及炉管

说明书

本实用新型提供了一种晶舟以及炉管，所述晶舟包括立柱和设置在所述立柱上的支撑架，所述支撑架用于支撑晶圆，所述支撑架包括倾斜向下的支撑斜面以及设置在所述支撑斜面上的凸起，所述凸起低于所述支撑斜面支撑晶圆的位置。本实用新型提供的晶舟以及炉管，通过支撑架倾斜向下的支撑斜面来支撑晶圆，使晶圆与支撑架的接触面积较小，从而使摩擦发生的面积减小，减少颗粒物的产生，并在低于支撑斜面支撑晶圆的位置设置有凸起，从而防止摩擦产生的颗粒物掉落到下面的晶圆上，有效的减少晶舟造成的缺陷，提高了生产的良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别涉及一种晶舟以及炉管。

背景技术

半导体制造工艺涉及到进行多次的光刻工艺、刻蚀工艺和成膜工艺等，可在半导体晶圆上形成各种结构的半导体器件。其中，成膜工艺普遍通过在炉管中采用热氧化法或化学气相沉积等形成膜层，使得炉管等产品应用广泛。

在半导体制造工艺中，各种膜层的成膜需要使得炉管制程必不可少，炉管制程通过将晶圆放在晶舟上面送达高温区，并通过化学反应长出一层高品质的薄膜。在这个升温乃至长膜的过程中，控制particle污染问题至关重要。在炉管制程晶舟送达过程中，晶圆放在晶舟上与晶舟的支撑架紧密接触，由于环境温度和腔体温度的剧烈变化，会导致晶圆在晶舟上发生剧烈的抖动，由于这种剧烈的抖动会产生摩擦，再加上热效应的原因，很容易产生Particle，落在下方的晶圆上，从面可能造成晶圆表面产生出晶舟的支撑架形状的缺陷，严重影响产出晶圆的良率。

因此，如何通过晶舟降低制程中的缺陷是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶舟以及炉管，以解决现有技术中的晶舟造成缺陷的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的一种晶舟，所述晶舟包括立柱和设置在所述立柱上的支撑架，所述支撑架用于支撑晶圆，所述支撑架包括倾斜向下的支撑斜面以及设置在所述支撑斜面上的凸起，所述凸起低于所述支撑斜面支撑晶圆的位置。

优选的，在所述晶舟中，所述支撑架上设置有定位槽，所述定位槽用于确定晶圆位置。

优选的，在所述晶舟中，所述凸起具有弧形的表面。

优选的，在所述晶舟中，所述支撑架倾斜的夹角小于30°。

优选的，在所述晶舟中，所述凸起的长度为1mm～10mm。

优选的，在所述晶舟中，所述立柱的数量为3个。

优选的，在所述晶舟中，所述晶舟还包括上盖，所述上盖设置在所述立柱上。

优选的，在所述晶舟中，所述上盖通过可拆卸的方式与所述立柱连接。

优选的，在所述晶舟中，所述晶舟还包括把手，所述把手设置在所述上盖上和/或所述立柱上。

本实用新型还提供一种炉管，所述炉管包括上述晶舟和炉腔，所述晶舟设置在所述炉腔内。

本实用新型提供的晶舟以及炉管，通过支撑架倾斜向下的支撑斜面来支撑晶圆，使晶圆与支撑架的接触面积较小，从而使摩擦发生的面积减小，减少颗粒物的产生，并在低于支撑斜面支撑晶圆的位置设置有凸起，从而防止由于摩擦产生的颗粒物掉落到下面的晶圆上，有效的减少晶舟造成的缺陷，提高了生产的良率。

附图说明

图1是本实用新型实施例的晶舟的剖面结构示意图；

图2是本实用新型实施例的晶舟的支撑架的剖面结构放大示意图；

图3是本实用新型实施例的晶舟的另一剖面结构示意图。

具体实施方式