[实用新型]一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器

权利要求书

1.一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器，包括衬底(1)，氧化物层(2)、拓扑绝缘体(3)、对数周期天线(4)、金属源极(5)和金属漏极(6)，其特征在于，

所述探测器的结构自下而上依次为：衬底(1)、氧化物层(2)、拓扑绝缘体(3)、在拓扑绝缘体上层是对数周期天线(4)、金属源极(5)、金属漏极(6)；其中：

所述的衬底(1)为低掺杂的Si衬底；厚度为0.3-0.5毫米；

所述的氧化物层(2)为SiO₂层，厚度300±10纳米；

所述的拓扑绝缘体(3)为硒化铋薄膜层，沟道长度从2微米到6微米，厚度从10纳米到60纳米；

所述的对数周期天线(4)外径4毫米，角度为50⁰，下层Cr的厚度为5-15纳米，上层Au的厚度为60-80纳米；

所述的金属源极(5)和金属漏极(6)为Cr和Au电极，下层Cr的厚度为5-15纳米，上层Au的厚度为60-80纳米。