[实用新型]一种GaN基黄光LED结构

说明书

本实用新型公开了一种GaN基黄光LED结构。其包括芯片组件和发光二极管组件；芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极；外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN准备层、黄光多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层，N电极设于N型掺杂GaN接触层上，P电极设于透明导电层上，InGaN准备层和黄光多量子阱层包含有倒锥形结构，发光二极管组件包括用于固定芯片组件的支架、焊线和支架电极。本实用新型能够避免出现裂片、碎片现象，且提高均匀性。

技术领域

本实用新型涉及照明技术领域，特别是涉及一种GaN基黄光LED结构。

背景技术

近年来、氮化物基发光二极管芯片广泛应用于照明领域。随着发光二极管的大规模应用，市场对于发光二极管的生产效率，生产成本提出更高的要求，因此为了持续降低制造成本，采用碳化硅衬底的发光二极管替代蓝宝石衬底的发光二极管是未来开展趋势。

目前，采用碳化硅衬底的发光二极管可以增大衬底尺寸，但是由于6英寸乃至更大尺寸的外延技术尚不成熟，导致碳化硅衬底的发光二极管尚未完全普及，主要原因就是大尺寸的外延片在生长过程中容易出现裂片、碎片现象，且外延片均匀性差，从而导致外延片的产品量率低，难以规模化生产。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种GaN基黄光LED结构，能够避免出现裂片、碎片现象，且提高均匀性。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种GaN基黄光LED结构，包括芯片组件和发光二极管组件；所述芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极；所述外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN准备层、黄光多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层，所述N电极设于所述N型掺杂GaN接触层上，所述P电极设于所述透明导电层上，所述InGaN准备层和黄光多量子阱层包含有倒锥形结构，所述发光二极管组件包括用于固定所述芯片组件的支架、焊线和支架电极。

优选的，所述透明导电层为ITO层。

优选的，所述InN缓冲层的厚度为10-200nm，所述AlGaN缓冲层的厚度为10-100nm。

本实用新型的有益效果是：区别于现有技术的情况，本实用新型采用芯片组件和发光二极管组件的复合结构，且芯片组件包括碳化硅衬底和生长于碳化硅衬底的外延层，外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN准备层、黄光多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层，由于外延层具有两层缓冲层，能够更好地释放碳化硅与GaN之间的应力，从而能够避免出现裂片、碎片现象，且提高均匀性，保证了稳定性和发光质量，提高了使用寿命。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的GaN基黄光LED结构的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参阅图1，是本实用新型实施例提供的GaN基黄光LED结构的结构示意图，本实用新型实施例的GaN基黄光LED结构包括芯片组件和发光二极管组件。