[实用新型]非易失性存储器的编程电路

权利要求书

1.一种非易失性存储器的编程电路，其特征在于，包括存储单元以及连接于所述存储单元的一对电流镜场效应管，所述电流镜场效应管与所述存储单元之间还设置有一开关管；所述电流镜场效应管输入端连接于一恒定电流源，输出端通过所述开关管连接于所述存储单元，以将所述恒定电流镜像复制于所述存储单元。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程电路，其特征在于，所述存储单元为P型掺杂存储单元或N型掺杂存储单元。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程电路，其特征在于，所述电流镜场效应管包括通过栅极相互连接的第一场效应管和第二场效应管，所述第一场效应管的漏极和栅极连接于所述开关管，所述第二场效应管的漏极连接于所述恒定电流源；所述第一场效应管和第二场效应管的源极连接于电源。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器的编程电路，其特征在于，所述开关管为P型场效应管，所述开关管的栅极接开关控制器，源极连接于所述第一场效应管的漏极和栅极以及第二场效应管的栅极，漏极连接于所述存储单元。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器的编程电路，其特征在于，所述开关管开启时，其源极和漏极导通，所述电流镜场效应管将恒定电流源镜像与所述存储单元；所述开关管关闭时，其关断所述电流镜场效应管和所述存储单元之间的连接。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程电路，其特征在于，分至少两个时序段向所述存储单元的栅极分别施加不同压值的电压，且后一时序段施加的电压高于前一时序段施加的电压。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的编程电路，其特征在于，分两个时序段向所述存储单元的栅极分别施加不同压值的电压。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程电路，其特征在于，所述存储单元为P型掺杂存储单元；所述存储单元的源极与位线相连，并连接于所述开关管的一端；所述存储单元的漏极与源线相连，所述存储单元的栅极与字线相连。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程电路，其特征在于，所述存储单元为N型掺杂存储单元；所述存储单元的漏极与位线相连，并连接于所述开关管的一端；所述存储单元的源极与源线相连， 所述存储单元的栅极与字线相连。