[实用新型]无方向性超宽带不等分耦合器

说明书

本实用新型涉及无方向性超宽带不等分耦合器，包含壳体以及置于其内的主导体和次级导体，壳体的左右侧设有同心安装孔，其上侧设有安装孔，次级导体具有通孔，主导体置于次级导体的通孔中，主导体的两端分别支撑于次级导体两端的左介质支撑架与右介质支撑架上，左主通道连接器安装于壳体的左侧面上，左主通道连接器的连接杆穿过同心安装孔与壳体内的主导体电性连接，右主通道连接器安装于壳体的右侧面上，右主通道连接器的连接杆穿过同心安装孔与壳体内的主导体电性连接，辅通道连接器安装于壳体的上侧面上，辅通道连接器的连接杆穿过安装孔与壳体内的次级导体电性连接。采用同轴传输线为一体的结构，在宽带频率范围内达到极好的耦合平坦度。

技术领域

本实用新型涉及一种无方向性超宽带不等分耦合器，属于微波通信设备技术领域。

背景技术

“TAP Coupler”指三端口无源微波器件，用于微波载体在一个输入通道划分为两个输出通道。

已知功率耦合器包括：Lange耦合器、分支线耦合器、定向耦合器、三通耦合器和其它的威尔金森耦合器。定向耦合器包括单截面、多截面以及锥形设计等。

在输出端口输入信号分相等或不等的值，在相等分配情况下，每个输出端口的功率等于输入功率的一半，输出功率之比，称为分流比，R为1:1，其中一个输出端口已被标准化为1，在不平等的分配情况下，输入信号分为两个输出端口，使得R值大于1。

不等功率分配器起因于宽带、分布式、高功率传输系统等需求的增加，在更复杂的系统应用中，如建立双向无源天线分布系统，发送和接收所需的不同频率的信号，在这应用中，一个主信道通过同轴电缆线从一个基站或直放站分布于整个建筑，在主要的同轴电缆添加分支线，并对不同楼层提供信号，非定向耦合器是必要的，如果每层楼都接受同样的功率，在相应的每层楼调整耦合器的分配比例，典型的分配比在3dB(R为1:1)和30dB(R为999:1)之间。

对以下应用提供非定向耦合器相关的一些困难，如下：首先，在较宽的频率范围内很难提供保持一个恒定的耦合值。其次，非定向耦合器输入端口很难提供较低的或接近最小值1的电压驻波比(VSWR)，VSWR是传输线最大值到最小值的驻波比。众所周知，如：负载，耦合器的输入，传输线特性阻抗，在同轴电缆馈送信号到耦合器时，当没有反射波的情况下，那么V_Max＝V_Min或VSWR为1，重点是要保持低电压驻波比使与设备不匹配的损失减到最少。此外，非定向耦合器很难能够处理高功率和无源低互调(PIM)，以及在宽带频率范围内难以提供良好的传输线特性阻抗。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种无方向性超宽带不等分耦合器，具有较低的耗散损失，高功率低互调超宽带频率范围应用。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：

无方向性超宽带不等分耦合器，特点是：包含壳体以及置于其内的主导体和次级导体，所述壳体的左右侧设有同心安装孔，其上侧设有安装孔，所述次级导体具有通孔，主导体置于次级导体的通孔中，主导体的两端分别支撑于次级导体两端的左介质支撑架与右介质支撑架上，左主通道连接器安装于壳体的左侧面上，左主通道连接器的连接杆穿过同心安装孔与壳体内的主导体电性连接，右主通道连接器安装于壳体的右侧面上，右主通道连接器的连接杆穿过同心安装孔与壳体内的主导体电性连接，辅通道连接器安装于壳体的上侧面上，辅通道连接器的连接杆穿过安装孔与壳体内的次级导体电性连接。

进一步地，上述的无方向性超宽带不等分耦合器，其中，所述次级导体为同轴耦合导体。

更进一步地，上述的无方向性超宽带不等分耦合器，其中，所述壳体的材质为铝。

再进一步地，上述的无方向性超宽带不等分耦合器，其中，所述次级导体的材质为铝。

再进一步地，上述的无方向性超宽带不等分耦合器，其中，所述主导体的材质为铝。