[实用新型]中子捕获治疗系统有效
申请号: | 201721752662.X | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN208372315U | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 刘渊豪;陈韦霖 | 申请(专利权)人: | 南京中硼联康医疗科技有限公司 |
主分类号: | A61N5/10 | 分类号: | A61N5/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 211112 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带电粒子束 射束整形 真空管 加速器 第二位置 第一位置 治疗系统 中子捕获 射束 收容 核反应 热中子吸收体 带电粒子 辐射安全 辐射屏蔽 反射体 拆卸 传输 申请 出口 | ||
1.一种中子捕获治疗系统,其特征在于:所述中子捕获治疗系统包括用于产生带电粒子束的加速器、与带电粒子束发生反应产生中子射束的中子产生部以及射束整形体,所述射束整形体包括收容部、邻接于所述中子产生部的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、与所述缓速体邻接的热中子吸收体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口,所述收容部设有连接于加速器的真空管,所述中子产生部设于所述真空管的端部,所述真空管将经加速器加速后的带电粒子传输至所述中子产生部以产生中子,所述中子形成中子射束,所述中子射束限定一根主轴,所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子减速至超热中子能区,所述反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度,所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量,所述中子产生部在第一位置和第二位置之间运动,在第一位置,所述中子产生部能够与带电粒子束产生中子,在第二位置,所述中子产生部自射束整形体脱落。
2.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述真空管的长度能够沿中子射束照射方向变短以提供中子产生部沿中子射束的照射方向从收容部运动出的空间,在第二位置,所述中子产生部能够与真空管一同从收容部运动出而自射束整形体脱落。
3.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述真空管至少包括连接于加速器的第一真空管部、收容于射束整形体收容部并容纳有中子产生部的第二真空管部以及连接第一真空管部和第二真空管部的第三真空管部,所述第三真空管部能够拆卸以提供中子产生部从收容部运动出的空间,在第二位置,所述中子产生部能够与第二真空管部一同从收容部运动出而自射束整形体脱落。
4.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述真空管外周与收容部的内壁之间填充有填充物。
5.根据权利要求4所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述填充物为能够吸收中子或反射中子的材料。
6.根据权利要求4所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述中子捕获治疗系统还包括位于收容部内且对中子产生部进行冷却的冷却装置,所述填充物填充于所述真空管外周与收容部的内壁而包裹住所述冷却装置,在第二位置,所述冷却装置及填充物与中子产生部一同自收容部脱落。
7.根据权利要求6所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述冷却装置包括位于真空管的端部而与所述中子产生部平面接触的第一冷却部、位于第一冷却部两侧并分别与第一冷却部连通的第二冷却部和第三冷却部,所述第二冷却部和第三冷却部沿平行于中子射束轴线的方向延伸且分别位于真空管的上下两侧而与第一冷却部形成匚型结构。
8.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述中子捕获治疗系统还包括邻接于所述缓速体并包覆于所述收容部的外周的第一屏蔽部和第二屏蔽部,所述第二屏蔽部能够相对第一屏蔽部向远离真空管的方向运动,所述真空管至少包括收容于所述收容部中并容纳有中子产生部的第一真空管部以及连接第一真空管部和加速器的第二真空管部,所述第一真空管部能够自第二真空管部脱离,当第一真空管部自第二真空管部脱离且第二屏蔽部移动至第一真空管部能够自收容部脱落的位置时,所述中子产生部同第一真空管部一同自射束整形体脱落。
9.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述中子捕获治疗系统还包括位于所述真空管铅直下方的容纳装置,所述中子产生部运动到收容部的外侧后落入所述容纳 装置,所述容纳装置为屏蔽材料制成。
10.根据权利要求9所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述容纳装置包括底部以及连接于底部的四个侧部,所述底部及四个侧部连接形成具有开口的容置空间,所述容纳装置还设有两个遮蔽于所述开口的转动部,所述转动部的一端连接于任一侧部,另一端能够相对于所连接的侧部向容置空间内转动,在自然状态下,所述两个转动部遮蔽于所述容置空间上方而形成容纳装置的顶部;在外力作用下,所述转动部向容置空间转动而收容于容置空间;当外力消除时,所述转动部恢复至自然状态。
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