[实用新型]多腔室晶圆处理设备有效
申请号: | 201721754788.0 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN207503937U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 张大龙;栾剑锋;阚保国;刘家桦 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;董琳 |
地址: | 223300 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气动门 支气路 主气路 气路 晶圆处理设备 处理腔室 一端连接 多腔室 阀门 晶圆 气缸 本实用新型 均匀稳定性 气缸驱动 输入压缩 内压力 气体源 主气 | ||
本实用新型涉及一种多腔室晶圆处理设备,包括:多个晶圆处理腔室,每个晶圆处理腔室包括气动门,所述气动门由气缸驱动;气路,包括主气路和与所述主气路一端连接的多个支气路,所述多个支气路分别连接至各个气缸;气体源,与所述气路另一端连接,用于通过所述气路向各个气缸输入压缩气体;第一阀门,设置于所述主气路上,用于控制所述主气路内的气流;多个第二阀门,分别设置于位于各个支气路上,用于分别控制各个支气路内的气流。提高气路内压力的均匀稳定性,使得气动门开关顺利。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种多腔室晶圆处理设备。
背景技术
晶圆处理工艺是在一个多腔室的工艺系统内进行的,例如一个具有多个处理腔室的晶圆处理设备。
多腔室具有多腔室的晶圆处理设备包括多个处理腔室,例如沉积腔室、刻蚀腔室、退火腔室等。各个处理腔室之间构成一传送腔,所述传送腔内设置机械臂,用于在各个腔室以及负载锁定室之间传送晶圆。
各个处理腔室靠近传送区域的一端设置有气动真空阀门,作为负载锁定室与传送区域之间的隔离阀门。所述气动真空阀门由气缸驱动。机台统一调整气体压力后分别供给各个腔体的气缸,用于控制真空门的开启或关闭。但气缸个体差异造成流进各气缸的气体压力大小不均,会偶尔发生气动门开关不顺畅,导致部分主腔体气动门开启失败,使得机械臂不能正常传片工作,引起设备故障。
因此,需要一种新的气体输送管路,使得到达各个气缸的气体压力均能满足要求,使得气缸运动平顺。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种多腔室晶圆处理设备,使得所述多腔室晶圆处理设备的气动门开关顺畅,避免设备故障。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种多腔室晶圆处理设备,包括:多个晶圆处理腔室,每个晶圆处理腔室包括气动门,所述气动门由气缸驱动;气路,包括主气路和与所述主气路一端连接的多个支气路,所述多个支气路分别连接至各个气缸;气体源,与所述气路另一端连接,用于通过所述气路向各个气缸输入压缩气体;第一阀门,设置于所述主气路上,用于控制所述主气路内的气流;多个第二阀门,分别设置于位于各个支气路上,用于分别控制各个支气路内的气流。
可选的,所述第二阀门为针型阀门。
可选的,所述第一阀门与第二阀门采用相同类型的阀门。
可选的,所述气体源用于输出压强为85Psi~95Psi的压缩气体。
可选的,所述第二阀门上设置有压力传感器,用于检测所述支气路内的气体压强。
可选的,所述第二阀门与气缸之间的气路距离小于第二阀门与主气路之间的气路距离。
可选的,所述第二阀门用于控制对应的气动门的开关时间为4s~6s。
本实用新型的多腔室晶圆处理设备的气体源通过一主气路以及多个支气路连接至多个气缸,支气路上分别设置有第二阀门,用于单独控制各个支气路内的气流,使得气路内的压力均匀稳定,使得各个气缸运动平顺以驱动气动门顺利开关。
附图说明
图1为本实用新型一具体实施方式的多腔室晶圆处理设备的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供多腔室晶圆处理设备的具体实施方式做详细说明。
请参考图1,为本实用新型一具体实施方式的多腔室晶圆处理设备的局部结构示意图。
所述多腔室晶圆处理设备包括多个晶圆处理腔室(图中未示出),每个晶圆处理腔室包括气动门,所述气动门由气缸驱动,控制气动门的开启和关闭。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造