[实用新型]一种栅极驱动组件、液晶显示器和电子设备

说明书

本实用新型提供了一种栅极驱动组件、液晶显示器和电子设备，其中所述栅极驱动组件包括基板，以及设置在所述基板上的栅极层、半导体层和源极层，以及至少通过所述栅极层和源极层的之间连接形成的作为输出单元的第三晶体管和作为输出清零单元的第四晶体管，并且所述第三晶体管以及所述第四晶体管以沟道相向的方式形成在所述基板上，并且所述第三晶体管形成在所述基板的第一侧上，所述第四晶体管形成在所述基板的第二侧上，所述第一侧和第二侧之间形成有镂空的间隔。本实用新型有效提高了栅极驱动组件的良品率。

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种栅极驱动组件、液晶显示器和电子设备。

背景技术

GOA技术即Gate-Driver on Array(栅极驱动阵列)是通过在玻璃上设计TFT(薄膜晶体管)电路来实现将栅极驱动电路集成到玻璃上的一种技术。在目前GOA产品设计中，如图1所示，为GOA产品的电路结构示意图，如图2所示为栅极驱动电路中第三晶体管和第四晶体管的结构示意图，以及图3为现有技术中栅极驱动组件在A方向上的截面图，图4为现有技术中栅极驱动组件在B方向上的截面图。其中M3晶体管为信号输出单元，M4为输出清零单元，其用于防止栅极信号一直保持高电位。从图2可以看出，现有技术中M3和M4晶体管采用沟道相背且Block相连(金属块状相连)的设计方式进行布置，其中Block区域(图中指示为C区)为非曝光区域，PR(光刻胶)为Fulltone(光刻胶不曝光区域)，而沟道底部是半曝光区域，PR为Halftone(光刻胶半曝光区域)。当经过半导体层和源极金属层曝光中后烘工艺时，PR受热膨胀发生形变，Block区域中的PR只能向沟道内流动，造成沟道内PR偏厚，对半导体层刻蚀时无法将沟道内PR完全灰化，源极金属线第二次刻蚀时形成沟道短路，最终导致GOA无法正常驱动显示。

发明内容

本实用新型实施例提供了一种有效降低沟道内PR厚度防止沟道内短路现象的栅极驱动组件、液晶显示器和电子设备。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了如下的技术方案：

一种栅极驱动组件，其包括：基板，以及依次设置在所述基板上的栅极层、半导体层和源极层，以及至少通过所述栅极层和源极层的之间连接形成在所述基板上的作为输出单元的第三晶体管和作为输出清零单元的第四晶体管，其中，

所述第三晶体管以及四晶体管以沟道相向的方式形成在所述基板上，并且

所述第三晶体管形成在所述基板的第一侧上，所述第四晶体管形成在所述基板的第二侧上，所述第一侧和第二侧之间形成有镂空的间隔。

作为优选实施例，所述栅极驱动组件还包括：

作为输入单元的第一晶体管；

作为输入清零单元的第二晶体管；

以及在所述第一晶体管和第三晶体管之间的优化模组，所述优化模组用于对从所述第一晶体管输入的信号执行降噪优化处理；

所述优化模组包括多个晶体管。

作为优选实施例，所述基板由玻璃材料制成。

作为优选实施例，所述半导体层包括至少一种硅晶半导体。

作为优选实施例，所述栅极层和半导体层之间还设有第一绝缘层。

作为优选实施例，所述源极层上还设置有第二绝缘层。

本实用新型实施例还提供了一种液晶显示器，其中包括如上述实施例所述的栅极驱动组件，以及与所述栅极驱动组件连接的液晶组件，所述栅极组件由所述栅极驱动组件驱动。

本实用新型实施例还提供了一种电子设备，其中包括如上所述的液晶显示器。

作为优选实施例，所述电子设备包括手机、笔记本电脑以及平板电脑中的至少一种。