[实用新型]发光二极管

说明书

本实用新型涉及一种发光二极管，包括：Si衬底；Ge、Si叠层材料形成的叠层结构，位于所述Si衬底表面的中心位置处；正电极，位于所述叠层结构的上表面；负电极，设位于所述Si衬底的上表面并位于叠层结构两侧的位置处。本实用新型的发光二极管器件结构可显著提高LED发光器件的性能。

技术领域

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管简称为LED，被广泛用作中、短距离光通信系统的光源。其具有长寿命、驱动电路简单与输出功率随温度变化不大等优点。因此对发光二极管的研究已经成为当前领域的热点和重点。

近年来，与Si的CMOS工艺相兼容的Ge/Si异质结构发光器件取得很多重要的进展。随着高质量的Ge薄膜可以成功外延在Si衬底上，Ge薄膜在Si基发光领域取得了前所未有的进展。但是器件的发光效率仍然很低，离实用还有一定的距离。

因此，如何研制出一种高发光效率的Ge发光二极管结构变得至关重要。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了一种发光二极管，其中，包括：

Si衬底；

Ge、Si叠层材料形成的叠层结构，位于所述Si衬底表面的中心位置处；

正电极，设位于所述叠层结构的上表面；

负电极，设位于所述Si衬底的上表面并位于叠层结构两侧的位置处。

在本实用新型的一个实施例中，所述Si衬底的材料为单晶Si。

在本实用新型的一个实施例中，所述叠层结构依次包括P型Ge层、Ge层、N型Ge层、N型Si层，且所述P型Ge层、Ge层、N型Ge层形成PiN结构。

在本实用新型的一个实施例中，还包括钝化层，所述钝化层设位于所述Si衬底及所述叠层结构的上表面，用于隔离所述正电极及所述负电极。

在本实用新型的一个实施例中，所述正电极和所述负电极为Cr或者Au材料，且其厚度为150～200nm。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型的叠层结构发光二极管可显著提高LED发光器件的性能。

通过以下参考附图的详细说明，本实用新型的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本实用新型的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种激光再晶化工艺方法示意图；

图3a-图3l为本实用新型实施例的一种发光二极管的制备工艺示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例一

请参见图1，图1为本实用新型实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；该发光二极管包括：

Si衬底01；

Ge、Si叠层材料形成的叠层结构，位于所述Si衬底表面的中心位置处；

正电极06，设位于所述叠层结构的上表面；