[实用新型]加热电极埋入式MEMS器件有效
| 申请号： | 201721756192.4 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN207760034U | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 宋焱 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热电极 介质膜 本实用新型 测试电极 埋入式 基底 电极金属丝 元器件技术 漏电 电子材料 金属残留 完全隔离 有效解决 接触孔 短路 沉积 剥离 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种加热电极埋入式MEMS器件，包括基底，其特征在于，所述基底上沉积有第一介质膜，所述第一介质膜上设有凹槽，加热电极设于所述凹槽中，所述加热电极上覆盖有带有接触孔的第二介质膜，所述加热电极通过所述接触孔与外接电源相连，所述第二介质膜上设有测试电极，且所述加热电极与测试电极通过第二介质膜完全隔离。
2.如权利要求1所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述凹槽的深度大于所述加热电极的厚度。
3.如权利要求2所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述第二介质膜设在所述凹槽中，且所述第二介质膜覆盖在所述凹槽上。
4.如权利要求1-3任一项所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述基底与所述第一介质膜之间还设有隔离层，隔离层由绝缘材料制成。
5.如权利要求1-3任一项所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述第一介质膜和第二介质膜由热膨胀系数相同的绝缘材料制成。
6.如权利要求5所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述第一介质膜和第二介质膜均包括SiO2和/或SiN层。
7.如权利要求1-3任一项所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述基底由Si或SOI制成。
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