[实用新型]低压系统中NPN/PNP传感器接入器有效
| 申请号： | 201721759378.5 | 申请日： | 2017-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN207677706U | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 戴军;王宏军 | 申请（专利权）人： | 苏州元谋智能机器人系统有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 耿丹丹;李广 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器接入 接入电路 低压系统 传感器 本实用新型 输出端 传感器连接 传感器使用 工业自动化 开关量信号 输出 低压控制 匹配电路 前端接入 输出信号 方便性 接入器 物联网 兼容 便利 升级 | ||
1.一种低压系统中NPN/PNP传感器接入器，其特征在于：包括接入电路，所述接入电路具有传感器接入端(A、B、C)和用于低压控制的输出端(D)，所述NPN传感器或者PNP传感器连接所述接入电路的传感器接入端，所述NPN传感器、PNP传感器的输出信号经所述接入电路的变换后从输出端(D)输出的信号相同。
2.如权利要求1所述的低压系统中NPN/PNP传感器接入器，其特征在于：所述接入电路包括光电耦合器一(U1)、光电耦合器二(U2)、PMOS管一(Q1)、PMOS管二(Q2)、NMOS管一(Q3)、NMOS管二(Q4)；
光电耦合器一(U1)具有发光二极管一和光电三极管一，光电耦合器二(U2)具有发光二级管二和光电三极管二；发光二极管一的正极连接输入信号电源正极，发光二极管一的负极连接发光二极管的正极，连接处形成节点M，发光二极管二的负极连接输入信号电源地；光电三极管一和光电三极管二两者的集电极均连接中间电源正极，两者的发射极均连接中间电源地；传感器接入端A连接输入信号电源正极，传感器接入端B连接节点M，传感器接入端C连接输入信号电源地；
PMOS管一(Q1)的源极连接光电三极管一的集电极，PMOS管一(Q1)的漏极连接NMOS管一(Q3)的漏极，NMOS管一(Q3)的源极接输出信号电源地，PMOS管一(Q1)和NMOS管一(Q3)的门极均连接光电三极管一的发射极；
PMOS管二(Q2)的源极连接光电三极管一的发射极，PMOS管二(Q2)的漏极连接NMOS管二(Q4)的漏极，连接处形成节点O，NMOS管二(Q4)的源极连接NMOS管一(Q3)的漏极，PMOS管二(Q2)和NMOS管二(Q4)两者的门极均连接光电三极管二的发射极；
输出端(D)连接节点O。
3.如权利要求2所述的低压系统中NPN/PNP传感器接入器，其特征在于：所述节点O和输出端(D)之间还连接有输出滤波电路。
4.如权利要求3所述的低压系统中NPN/PNP传感器接入器，其特征在于：所述输出滤波电路包括滤波电容(C1)和滤波电阻(R7)，所述滤波电容(C1)和滤波电阻(R7)两者并联后连接在节点O和输出信号电源地之间。
5.如权利要求2所述的低压系统中NPN/PNP传感器接入器，其特征在于：所述光电三极管一的集电极和PMOS管一的源极之间还连接有分压电阻(R6)。
6.如权利要求2所述的低压系统中NPN/PNP传感器接入器，其特征在于：所述输入信号电源地和输出信号电源地分开设置。
7.如权利要求2所述的低压系统中NPN/PNP传感器接入器，其特征在于：所述输入信号电源正极和发光二极管的正极之间还连接有分压电阻(R1)，所述传感器接入端B和节点M之间还连接有分压电阻(R2)，所述传感器接入端C和输入信号电源地之间还连接有分压电阻(R3)。
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