[实用新型]一种太阳能电池生产工艺用硅片快速减薄装置有效
申请号: | 201721761109.2 | 申请日: | 2017-12-17 |
公开(公告)号: | CN207624669U | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 关松生 | 申请(专利权)人: | 江西瑞宇新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330052 江西省南昌*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 砂盘 上砂 硅片 太阳能电池生产 本实用新型 废渣收集箱 电机 减薄装置 液压装置 顶盖 固定架 连接板 转动轴 打磨 顶部安装 固定座 底座 机箱 正对 轴孔 转动 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池生产工艺用硅片快速减薄装置,包括废渣收集箱,所述废渣收集箱的底部安装有底座,所述固定座的顶部安装有下砂盘,所述下砂盘的下方安装有第二电机,所述机箱的背侧安装有固定架,所述固定架的一侧安装有液压装置,所述液压装置的底部安装有连接板,所述连接板的下方安装有第一电机,所述第一电机的下方安装有转动轴,所述转动轴的下方安装有顶盖,所述顶盖的底部安装有上砂盘,所述上砂盘的中间位置处设置有轴孔。本实用新型的安装有正对安装的上砂盘和下砂盘,且硅片安装在上砂盘和下砂盘之间,通过上砂盘和下砂盘的转动对硅片的双面进行同时打磨,有效提高了打磨效率。
技术领域
本实用新型涉及硅片减薄技术领域,具体是一种太阳能电池生产工艺用硅片快速减薄装置。
背景技术
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。只要被光照到,瞬间就可输出电压及电流。在物理学上称为太阳能光伏,简称光伏。以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流,而以光化学效应工作的湿式太阳能电池则还处于萌芽阶段,砂轮,用磨料和结合剂等制成的中央有通孔的圆形固结磨具。砂轮是磨具中用量最大、使用面最广的一种,使用时高速旋转,适于加工各种金属和非金属材料。
一种太阳能电池生产工艺用硅片快速减薄装置的出现大大方便了硅片快速减薄,但是目前阶段的一种太阳能电池生产工艺用硅片快速减薄装置存在诸多的不足之处,例如,减薄效率低,容易产生污染,无法对废渣进行回收。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种太阳能电池生产工艺用硅片快速减薄装置,以解决现有技术中的减薄效率低,容易产生污染,无法对废渣进行回收的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种太阳能电池生产工艺用硅片快速减薄装置,包括废渣收集箱,所述废渣收集箱的底部安装有底座,所述废渣收集箱的正面安装有密封门,所述废渣收集箱的上方安装有机箱,所述机箱上安装有控制面板,所述机箱的一侧安装有连接口,所述连接口上安装有输送管,所述输送管的一端安装有吸尘器,所述机箱的顶部安装有固定座,所述固定座的顶部安装有下砂盘,所述下砂盘的上方的中间位置处安装有固定杆,所述下砂盘的下方安装有第二电机,所述机箱的背侧安装有固定架,所述固定架的一侧安装有液压装置,所述液压装置的底部安装有连接板,所述连接板的下方安装有第一电机,所述第一电机的下方安装有转动轴,所述转动轴的下方安装有顶盖,所述顶盖的底部安装有上砂盘,所述上砂盘的中间位置处设置有轴孔。
优选的,所述上砂盘与下砂盘正对安装。
优选的,所述固定杆与轴孔镶嵌连接。
优选的,所述第一电机与上砂盘转动连接,且第二电机与下砂盘转动连接。
优选的,所述顶盖的边侧与固定座的边侧紧密贴合。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型的安装有正对安装的上砂盘和下砂盘,且硅片安装在上砂盘和下砂盘之间,通过上砂盘和下砂盘的转动对硅片的双面进行同时打磨,有效提高了打磨效率,且在机箱的一侧安装有吸尘器,通过吸尘器可以将打磨过程的硅片废渣进行回收至废渣收集箱内储存,不但可以避免环境污染,且可以对资源进行回收利用。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的固定座的主视图。
图3为本实用新型的上砂盘的仰视图。
图中:1-上砂盘、2-固定杆、3-固定座、4-控制面板、5-废渣收集箱、6-密封门、7-底座、8-固定架、9-液压装置、10-连接板、11-第一电机、12-转动轴、13-顶盖、14-吸尘器、15-输送管、16-连接口、17-机箱、18-下砂盘、19-第二电机、20-轴孔。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造