[实用新型]用于三维集成电路封装的硅通孔转接板有效
| 申请号： | 201721776308.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN208385399U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 江苏天康电子合成材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/60;H01L27/02;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人： | 苏雪雪 |
| 地址： | 225500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 转接板 绝缘层 三维集成电路 上下贯通 隔离区 封装 本实用新型 抗静电能力 层叠封装 填充材料 铜互连线 转接 上表面 下表面 凸点 隔离 芯片 | ||
1.一种用于三维集成电路封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：
Si基板(11)；
MOS管(12)，设置于所述Si基板(11)内；
隔离区(13)，设置于所述MOS管(12)四周且上下贯通所述Si基板(11)，用于对所述MOS管(12)进行隔离；
TSV区(14)，设置于所述MOS管(12)和所述隔离区(13)形成区域的两侧且上下贯通所述Si基板(11)，所述TSV区(14)内的填充材料为铜；
第一绝缘层(15)，设置于所述Si基板(11)的上表面；
第二绝缘层(16)，设置于所述Si基板(11)的下表面；
铜互连线(17)，设置于所述第一绝缘层(15)内，用于连接所述TSV区(14)的第一端面和所述MOS管(12)；
铜凸点(18)，设置于所述TSV区(14)的第二端面上。
2.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述MOS管(12)包括：P阱区、栅极区、源区、漏区和P阱接触区；其中，所述栅极区设置于所述P阱区上，所述源区和所述漏区设置于所述P阱区内且分别位于所述栅极区的第一侧和第二侧，所述P阱接触区设置于所述P阱区内且位于所述栅极区的第二侧。
3.根据权利要求2所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述TSV区(14)包括第一TSV区和第二TSV区；其中，所述第一TSV区设置于所述栅极区的第一侧，所述第二TSV区设置于所述栅极区的第二侧。
4.根据权利要求3所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述铜互连线(17)包括第一铜互连线和第二铜互连线；其中，所述第一铜互连线用于连接所述第一TSV区的第一端面和所述源区，所述第二铜互连线用于连接所述第二TSV区的第一端面、所述P阱接触区、所述漏区以及所述栅极区。
5.根据权利要求4所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述源区、所述P阱接触区、所述漏区和所述栅极区与所述铜互连线(17)之间均设置有钨插塞。
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