[实用新型]一种采用贴片可控硅控制方式的漏电保护装置有效
申请号: | 201721780266.8 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN207588432U | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 朱荣惠 | 申请(专利权)人: | 无锡华阳科技有限公司 |
主分类号: | H02H3/32 | 分类号: | H02H3/32;G01R31/02 |
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地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可控硅开关 降压整流电路 电磁铁 漏电保护装置 漏电感应电路 漏电检测电路 可控硅控制 电源电路 贴片式 贴片 本实用新型 高压击穿 降压电阻 设备成本 顺序连接 有效解决 装置结构 电控制 可控硅 导通 零线 相线 检测 生产 | ||
1.一种采用贴片可控硅控制方式的漏电保护装置,其特征在于,包括顺序连接的电源电路、降压整流电路、漏电检测电路和可控硅开关(P1);还包括漏电感应电路,所述漏电感应电路一端与所述降压整流电路连接,另一端与所述漏电检测电路连接;所述电源电路包括相线(L)和零线(N),分别与所述降压整流电路连接;所述可控硅开关(P1)与高压电磁铁连接,当所述可控硅开关(P1)导通时与所述高压电磁铁形成回路。
2.根据权利要求1所述的一种采用贴片可控硅控制方式的漏电保护装置,其特征在于,所述降压整流电路包括由第一压敏电阻(RV1)、第二压敏电阻(RV2)和由第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)所构成的桥式整流电路;所述第一二极管(D1)的阳极和所述第二二极管(D2)的阴极连接作为所述桥式整流电路的第一端、所述第二二极管(D2)的阳极和所述第三二极管(D3)的阳极连接作为所述桥式整流电路的第二端、所述第三二极管(D3)的阴极和所述第四二极管(D4)的阳极连接作为所述桥式整流电路的第三端、所述第一二极管(D1)的阴极和所述第四二极管(D4)的阴极连接作为所述桥式整流电路的第四端;所述第一压敏电阻(RV1)和所述第二压敏电阻(RV2)一侧与所述电源电路顺序连接,另一侧分别与所述桥式整流电路的第一端和第三端连接,电阻(R3)一端与所述桥式整流电路的第四端连接,另一端通过第一电源电容(C1)与所述漏电检测电路连接。
3.根据权利要求1所述的一种采用贴片可控硅控制方式的漏电保护装置,其特征在于,所述漏电感应电路包括顺序连接的零序电流互感器(Tr)、双向二极管(U2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第二电容(C2);所述零序电流互感器(Tr)将感应到的漏电电流通过所述双向二极管(U2)进行箝位,并通过第二电源电容(C2)进行滤波,经第一电阻(R1)转换后,再次通过第八电源电容(C8)滤波后输入到所述漏电检测电路。
4.根据权利要求3所述的一种采用贴片可控硅控制方式的漏电保护装置,其特征在于,所述第一电阻(R1)为两个贴片电阻。
5.根据权利要求1所述的一种采用贴片可控硅控制方式的漏电保护装置,其特征在于,所述漏电检测电路为漏电芯片M54123。
6.根据权利要求1所述的一种采用贴片可控硅控制方式的漏电保护装置,其特征在于,还包括测试按钮电路,所述测试按钮电路与所述漏电感应电路连接,用于检测电路的工作状态。
7.根据权利要求1所述的一种采用贴片可控硅控制方式的漏电保护装置,其特征在于,所述可控硅开关(P1)为高耐压贴片可控硅。
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