[实用新型]一种芯片测试机上的真空除尘结构有效

专利信息
申请号: 201721787488.2 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN207769407U 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: 晏云飞;陈迎涛;周俊;张伟军 申请(专利权)人: 上海伟测半导体科技有限公司
主分类号: B01D46/02 分类号: B01D46/02;B01D46/04
代理公司: 上海沪慧律师事务所 31311 代理人: 朱九皋
地址: 201201 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 箱体内部 喷吹管 下端 脉冲电磁阀 滤袋框架 网孔板 灰斗 除尘结构 除尘滤袋 芯片测试 出气嘴 控制仪 引风机 真空泵 气包 气管 本实用新型 电性连接 阀门设置 箱体连接 除尘 阀门 排出 重复
【说明书】:

实用新型涉及一种芯片测试机上的真空除尘结构,包括箱体、真空泵、引风机、网孔板、除尘滤袋、阀门、灰斗、滤袋框架、喷吹管、脉冲电磁阀、气包、控制仪和出气嘴,所述真空泵与箱体连接,所述引风机设置在箱体内部上侧,所述网孔板设置在箱体内部,所述滤袋框架设置在网孔板下端,所述除尘滤袋设置在滤袋框架内部,所述灰斗设置在箱体内部下端,所述阀门设置在灰斗下端,所述喷吹管设置在箱体内部上侧,所述气包通过气管与喷吹管连接,所述脉冲电磁阀安装于气管上,所述控制仪与脉冲电磁阀电性连接,所述喷吹管下端设置出气嘴,该设计可将箱体内部的灰尘排出出去,进行重复地真空除尘。

技术领域

本实用新型涉及芯片测试机设备领域,具体为一种芯片测试机上的真空除尘结构。

背景技术

设计初期系统级芯片测试。 SoC的基础是深亚微米工艺,因此,对Soc器件的测试需要采用全新的方法。由于每个功能元件都有其自身的测试要求,设计工程师必须在设计初期就做出测试规划。为SoC设备所做的逐块测试规划必须实现:正确配置用于逻辑测试的ATPG工具;测试时间短;新型高速故障模型以及多种内存或小型阵列测试。对生产线而言,诊断方法不仅要找到故障,而且还要将故障节点与工作正常的节点分离开来。此外,只要有可能,应该采用测试复用技术以节约测试时间。在高集成度IC测试领域,ATPG和IDDQ的可测试性设计技术具备强大的故障分离机制。需要提前规划的其他实际参数包括:需要扫描的管脚数目和每个管脚端的内存数量。可以在SoC上嵌入边界扫描,但并不限于电路板或多芯片模块上的互连测试。

现有的芯片在测试时是在无尘环境中的,但无尘环境只是相对无尘,并不能做到完全无尘,灰尘会影响芯片的测试结果,综上所述,现急需一种芯片测试机上的真空除尘结构来解决上述出现的问题。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足,本实用新型目的是提供一种芯片测试机上的真空除尘结构,以解决上述背景技术中提出的问题,本实用新型使用方便,操作简单,系统性高,实用性强。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种芯片测试机上的真空除尘结构,包括装置主体和喷吹机构,所述装置主体包括箱体、真空泵、引风机、网孔板、除尘滤袋、阀门、灰斗和滤袋框架,所述真空泵与箱体连接,所述引风机设置在箱体内部上侧,所述网孔板设置在箱体内部,所述滤袋框架设置在网孔板下端,所述除尘滤袋设置在滤袋框架内部,所述灰斗设置在箱体内部下端,所述阀门设置在灰斗下端,所述喷吹机构设置在箱体内部,所述喷吹机构包括喷吹管、脉冲电磁阀、气包、控制仪和出气嘴,所述喷吹管设置在箱体内部上侧,所述气包通过气管与喷吹管连接,所述脉冲电磁阀安装于气管上,所述控制仪与脉冲电磁阀电性连接,所述喷吹管下端设置出气嘴。

进一步地,所述箱体左端面设置有进气口,且进气口左端连接吸风管,且吸风管左端设置吸风罩。

进一步地,所述出气嘴设有若干个,若干个出气嘴等距排布于喷吹管下端。

进一步地,所述网孔板下端面设置有粘灰胶垫。

进一步地,所述箱体上端面铰接有上盖板。

进一步地,所述滤袋框架和除尘滤袋均设有若干个,若干个所述滤袋框架等距排布于网孔板下端面。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:因本实用新型添加了喷吹管、脉冲电磁阀、气包、控制仪和出气嘴,该设计可将箱体内部的灰尘排出出去,进行重复地真空除尘。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为本实用新型中喷吹机构的结构示意图。

附图标记中:1.箱体;2.真空泵;3.引风机;4.上盖板;5.网孔板;6.喷吹机构;7.除尘滤袋;8.阀门;9.灰斗;10.进气口;11.吸风罩;12.吸风管;13.滤袋框架;61.喷吹管;62.脉冲电磁阀;63.气包;64.控制仪;65.出气嘴。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海伟测半导体科技有限公司,未经上海伟测半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721787488.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top