[实用新型]一种霍尔元件

说明书

本实用新型公开了一种霍尔元件，包括依次层叠的半绝缘衬底层、功能层、金属电极层，功能层包括第一矩形区、包含第一矩形区以及由第一矩形区的两条长边向外延伸形成的区域的矩形输入区、包含第一矩形区以及由第一矩形区的两条宽边向外延伸形成的区域的矩形输出区、矩形输入区向外延伸形成的第一欧姆接触区、矩形输出区向外延伸形成的第二欧姆接触区，金属电极层分别贴设于第一欧姆接触区和第二欧姆接触区上；第一矩形区、矩形输入区、矩形输出区、第一欧姆接触区、第二欧姆接触区分别绕第一中心呈中心对称。本实用新型一种霍尔元件，较宽的输入区可以提高霍尔器件灵敏度，而输出部分的尺寸则可以根据负载阻抗的大小来调节，灵敏度高、失调电压低。

技术领域

本实用新型涉及半导体磁传感器技术领域，特别涉及一种霍尔元件。

背景技术

传感器技术、通信技术和计算机技术共同组成了现代信息技术的三大支柱技术，被广泛地应用于国民经济的各个领域。霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁敏传感器，在各类磁敏传感器中地位最为重要，是国防、工业、民用等部门生产制造过程中不可或缺的重要元器件，不仅可以用于测量电磁参数，还被广泛应用于测量直线位移、转速、压力和角位移等非电量参数。

霍尔传感器大多以对磁场比较敏感的III-V族化合物半导体作为衬底材料进行制备，目前市场上的霍尔元件产品主要由锑化铟或砷化镓材料制作。霍尔元件的结构设计对其特性包括失调电压、灵敏度、输入输出匹配等都有重要的影响。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种霍尔元件，提高了霍尔元件的灵敏度、线性度、失调电压等特性，有利于与不同阻抗的元器件进行匹配。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种霍尔元件，包括依次层叠的半绝缘衬底层、功能层、金属电极层，所述功能层包括：第一矩形区、包含所述第一矩形区以及由所述第一矩形区的两条长边向外延伸形成的区域的矩形输入区、包含所述第一矩形区以及由所述第一矩形区的两条宽边向外延伸形成的区域的矩形输出区、所述矩形输入区向外延伸形成的第一欧姆接触区、所述矩形输出区向外延伸形成的第二欧姆接触区，所述金属电极层分别贴设于所述第一欧姆接触区和所述第二欧姆接触区上；

所述第一矩形区绕第一中心呈中心对称；

所述矩形输入区绕所述第一中心呈中心对称；

所述矩形输出区绕所述第一中心呈中心对称；

所述第一欧姆接触区绕所述第一中心呈中心对称；

所述第二欧姆接触区绕所述第一中心呈中心对称。

优选地，所述第一矩形区、所述矩形输入区、所述矩形输出区、所述第一欧姆接触区、所述第二欧姆接触区位于同一水平面内。

优选地，所述矩形输入区的宽边为所述第一矩形区的长边，所述矩形输出区的宽边为所述第一矩形区的宽边；所述矩形输入区的长边与所述矩形输出区的长边相同或不同。

优选地，所述第一欧姆接触区的边缘由直线段、直角和钝角组成。

优选地，所述第二欧姆接触区的边缘由直线段、直角和钝角组成。

优选地，所述半绝缘衬底层为正方形或矩形。

优选地，所述半绝缘衬底层绕所述第一中心呈中心对称。

优选地，所述霍尔元件绕所述第一中心呈中心对称。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：本实用新型一种霍尔元件，矩形输入区和矩形输出区的宽度不同，长度也可以不同，较宽的输入区宽度可以提高霍尔器件灵敏度，而输出部分的尺寸则可以根据负载阻抗的大小进行优化和调节，本实用新型提供的霍尔元件灵敏度高、失调电压低、可针对不同负载匹配良好。

附图说明