[实用新型]一种大功率超低电容瞬态电压抑制二极管

权利要求书

1.一种大功率超低电容瞬态电压抑制二极管，其特征在于，由低电容二极管管芯(1)、铜片(2)、大功率瞬态电压抑制二极管管芯(3)组成；低电容二极管管芯(1)的金属化层b(16)通过焊接与铜片(2)顶端连接，大功率瞬态电压抑制二极管管芯(3)的金属化层c(35)通过焊接与铜片(2)底端连接。

2.如权利要求1所述的大功率超低电容瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述的低电容二极管管芯(1)结构为P⁺-N^－-N⁺型，由P⁺区a(11)、N^－区(12)、N⁺区a(13)、钝化玻璃a(14)、金属化层a(15)、金属化层b(16)组成，低电容二极管管芯(1)的剖面截层结构依次为钝化玻璃a(14)、金属化层a(15)、P⁺区a(11)、N^－区(12)、N⁺区a(13)、金属化层b(16)，钝化玻璃a(14)包覆低电容二极管管芯(1)的台面侧壁，金属化层b(16)通过焊接与铜片(2)顶端连接。

3.如权利要求1所述的大功率超低电容瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述的大功率瞬态电压抑制二极管管芯(3)结构为N⁺-P-P ⁺型，由N⁺区b(31)、P区(32)、P⁺区b(33)、钝化玻璃b(34)、金属化层c(35)、金属化层d(36)组成，大功率瞬态电压抑制二极管管芯(3)的剖面截层结构依次为钝化玻璃b(34)、金属化层c(35)、N⁺区b(31)、P区(32)、P⁺区b(33)、金属化层d(36)，钝化玻璃b(34)包覆大功率瞬态电压抑制二极管管芯(3)的台面侧壁，金属化层c(35)通过焊接与铜片(2)底端连接。

4.如权利要求1所述的大功率超低电容瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述的低电容二极管管芯(1)与大功率瞬态电压抑制二极管管芯(3)为共阴极串联连接，大功率瞬态电压抑制二极管管芯(3)的阳极为正极，低电容二极管管芯(1)的阳极为负极。

5.如权利要求1所述的大功率超低电容瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述的低电容二极管管芯(1)采用N型硅电阻率为85～90Ω·cm单晶片制作；P⁺区a(11)采用1E20cm^-3的高浓度硼源掺杂；N⁺区a(13)采用5E20cm^-3的高浓度磷源掺杂。

6.如权利要求1所述的大功率超低电容瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述的低电容二极管管芯(1)的结深X_jP为45～55μm，结深X_jN为55～65μm，芯片厚度t为200μm±10μm，管芯面积A为2.41mm²±0.15mm²。

7.如权利要求1所述的大功率超低电容瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述的铜片(2)尺寸为Ф2.5mm×0.5mm。

8.如权利要求1-3任一所述的大功率超低电容瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述的金属化层a、b、c、d为镍金属。