[实用新型]一种宽频单片集成式功率放大电路

权利要求书

1.一种宽频单片集成式功率放大电路,其特征在于：包括依次串联的输入缓冲级、电压放大级、线性跨导驱动级、输出级，其中

所述输入缓冲级连接输入电压信号，进行高阻缓冲和偏置处理把输入电压信号转换成电流信号；

所述电压放大级对输入缓冲级发来的电流信号进行放大成为电压信号；

所述线性跨导驱动级采用AB类电流缺失型跨导驱动电路，对电压放大级送来的电压信号进行高线性驱动；

所述输出级受所述线性跨导驱动级驱动向负载输出放大过后的功率信号。

2.如权利要求1所述的宽频单片集成式功率放大电路,其特征在于：所述输入缓冲级包括第零、第一、第二、第三、第四、第六MOS管，第四十二、第三十九恒流源，其中第一、第三、第四MOS管采用P沟道MOS管，第零、第二、第六MOS管采用N沟道MOS管；

所述第零和第一MOS管的栅极连接所述输入电压信号，所述第零MOS管（M0）的漏极接电源正极（vdd）、其源极接第三MOS管（M3）的栅极和第三十九恒流源（I39）的一端，第三十九恒流源的另一端接地，第一MOS管（M1）的漏极接地、其源极接第二MOS管（M2）的栅极和第四十二恒流源（I42）的一端，第三十九恒流源的另一端接电源正极，所述第二MOS管的源极接第三MOS管的源极、其漏极接第四MOS管的漏极和栅极，第四MOS管（M4）的源极接电源正极，所述第三MOS管的漏极接第六MOS管的漏极和栅极，第六MOS管（M6）的源极接地；所述第四MOS管和第六MOS管的漏极向所述电压放大级输出所述电流信号。

3.如权利要求2所述的宽频单片集成式功率放大电路,其特征在于：所述电压放大级包括第五和第七MOS管，其中第五MOS管（M5）采用P沟道MOS管、其栅极接所述第四MOS管（M4）的漏极、其源极接电源正极（vdd）；第七MOS管（M7）采用N沟道MOS管、其栅极接所述第六MOS管（M6）的漏极、其源极接地；第五MOS管和第七MOS管的漏极相连发出所述电压信号。

4.如权利要求3所述的宽频单片集成式功率放大电路,其特征在于：所述线性跨导驱动级包括第八至第十九MOS管、第二十二、第二十三MOS管，其中所述第八、第十二、第十三、第十五、第十八、第十九、第二十三MOS管采用P沟道MOS管，所述第十一、第九、第十、第十四、第十六、第十七、第二十二MOS管采用N沟道MOS管；

所述第八MOS管（M8）的栅极接所述第四MOS管的漏极、其源极接电源正极（vdd）、其漏极接第九MOS管（M9）的漏极，所述第十一MOS管（M11）的栅极接所述第六MOS管的漏极、其源极接地、其漏极接第十二MOS管（M12）的漏极，所述第十二MOS管的源极接电源正极，第十二MOS管的栅极接其自身的漏极、第十三和第十五MOS管的栅极，所述第九MOS管的源极接地，第九MOS管的栅极接其自身的漏极、第十和第十四MOS管的栅极，所述第十三MOS管（M13）的源极接电源正极，第十三MOS管的漏极接第十四和第十六MOS管的漏极、以及第十六和第十七MOS管的栅极，所述第十四MOS管（M14）、第十六MOS管（M16）和第十七MOS管（M17）的源极接地，所述第十MOS管（M10）的源极接地，第十三MOS管的漏极接第十五和第十八MOS管的漏极、以及第十八和第十九MOS管的栅极，所述第十五MOS管（M15）、第十八MOS管（M18）和第十九MOS管（M19）的源极接电源正极，第十九MOS管的漏极接第二十三MOS管的源极，第二十三MOS管（M23）的栅极接所述第五MOS管（M5）的漏极和第二十二MOS管的栅极，第二十三MOS管的漏极接地，第十七MOS管的漏极接第二十二MOS管的源极，第二十二MOS管（M22）漏极接电源正极，所述第二十三和第二十二MOS管的源极连接所述输出级。

5.如权利要求4所述的宽频单片集成式功率放大电路,其特征在于：所述输出级包括第二十四MOS管和第二十五MOS管、第四十八恒流源（I48）和第四十七恒流源（I47），其中

所述第二十四MOS管（M24）采用N沟道MOS管、其漏极连接电源正极、其栅极连接所述第二十三MOS管（M23）的源极，所述第四十八恒流源（I48）串接在电源正极与第二十四MOS管栅极之间；

所述第二十五MOS管（M25）采用P沟道MOS管、其漏极接地、其栅极连接所述第二十二MOS管（M22）的源极，所述第四十七恒流源（I47）串接在二十五MOS管栅极与地之间；所述第二十四MOS管与第二十五MOS管的源极相接向负载输出所述功率信号。