[实用新型]防水罩和晶圆处理装置

说明书

一种防水罩和一种晶圆处置装置，所述防水罩用于放置于晶圆处理腔室上方，所述晶圆处理腔室顶部具有一窥视孔，所述晶圆处理腔室上方具有一红外测温仪，所述红外测温仪用于向晶圆处理腔室内发射红外光，形成一垂直于窥视孔的光路，所述防水罩包括：竖直水挡，竖直水挡中部漏空，用于放置于所述窥视孔的四周，使所述窥视孔位于所述竖直水挡的漏空处底部；横向水挡，所述横向水挡包括倾斜部和水平部，所述横向水挡固定于所述竖直水挡中部漏空处顶部，当所述防水罩放置于所述晶圆处理腔室上方时，所述横向水挡遮盖所述窥视孔，所述倾斜部与所述光路位置相对应，所述倾斜部为透明结构。这种防水罩能够阻止水滴溅入窥视孔，提升晶圆处理效率和质量。

技术领域

本实用新型涉及气相化学外延设备领域，尤其涉及一种防水罩和晶圆处理装置。

背景技术

硅外延通常是通过气相化学沉积的方式，在硅抛光片的表面生长一层指定膜厚与电阻率的硅单晶层。在石英质平板式反应腔体中，硅片贴附在基座表面，与外延反应气体，在高温下发生化学反应。反应期间需要监控反应过程中的反应温度，采用固定式红外测温仪，透过反应腔体的窥视孔，采集反应腔体内硅片的温度实现。

在反应期间，反应腔体浸泡于水槽内，反应腔体周围布有循环水，循环水采用顶部洒水、底部出水的方式。在顶部洒水的过程中，由于水量控制不均的问题，容易在洒水过程中，有水滴溅射进入窥视孔，从而挡住测温仪的光路，使入射光发生折射，使监控到的温度信息不准确。而温度是气相化学沉积过程中的重要控制指标，如果温度稍有偏差，最终将会导致硅片外延层的厚度降低，影响其品质。

现今，为避免水滴溅射进入窥视孔，请参考图1，为现有技术的晶圆处理装置的俯视图，在反应腔体制备时，在窥视孔101四周加装竖直水挡102，同时竖直水挡102采用不规则造型，将可能溅射入水的区域做加高处理。然而在实际应用中，由于洒水盘的堵塞或流量变动，会导致个别喷水孔水流异常，溅射的水花很容易越过竖直水挡102进入窥视孔101，使其功效减弱。同时，由于竖直型的水挡设计，在实际石英加工过程中非常困难，也使得当前技术转型较难。

因此，需要提供一种防水罩，避免水滴溅入窥视孔内，使测温仪能够正常通过窥视孔测量温度。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种防水罩和一种晶圆处理装置。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种防水罩，用于放置于晶圆处理腔室上方，所述晶圆处理腔室顶部具有一窥视孔，所述晶圆处理腔室上方具有一红外测温仪，所述红外测温仪用于向所述晶圆处理腔室内发射红外光，形成一垂直于所述窥视孔的光路，光路所述防水罩包括：竖直水挡，所述竖直水挡中部漏空，用于放置于所述窥视孔的四周，使所述窥视孔位于所述竖直水挡的漏空处底部；横向水挡，所述横向水挡包括倾斜部和水平部，所述横向水挡固定于所述竖直水挡漏空处顶部，当所述防水罩放置于所述晶圆处理腔室上方时，所述横向水挡遮盖所述窥视孔，所述倾斜部与所述光路位置相对应，所述倾斜部为透明结构。

可选的，所述横向水挡的材料为石英。

可选的，所述横向水挡包括：一个倾斜部和两个水平部，所述倾斜部衔接两个水平部。

可选的，所述倾斜部与所述水平部的夹角为120度至150度。

可选的，所述防水罩为一体成型结构或者所述竖直水挡与横向水挡为分体结构且相互之间固定连接。

本发明还提供一种晶圆处理装置，包括：晶圆处理腔室，所述晶圆处理腔室顶部具有一窥视孔；红外测温仪，用于向所述晶圆处理腔室内发射红外光，形成一垂直于所述窥视孔的光路；防水罩，所述防水罩包括竖直水挡和横向水挡，放置于所述晶圆处理腔室上方，所述竖直水挡位于所述窥视孔四周边缘，所述竖直水挡中部漏空，所述窥视孔位于所述竖直水挡的漏空处底部，所述横向水挡固定于所述竖直水挡漏空处顶部，所述横向水挡遮盖所述窥视孔；所述横向水挡包括倾斜部和水平部，所述倾斜部与所述光路位置相对应，所述倾斜部为透明结构。