[实用新型]一种基于IGBT与CMOS双回路调节氙灯驱动电路有效
| 申请号： | 201721809520.2 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207589251U | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘海波;袁驰 | 申请（专利权）人： | 武汉爱疆科技有限公司 |
| 主分类号： | H05B41/16 | 分类号： | H05B41/16 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 曹丽 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市洪山区珞*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 驱动电路 氙气灯 双回路调节 电源 氙灯 负极 匹配功率 脉冲 辐照度传感器 本实用新型 辐照传感器 接入脉冲 偏差调节 使用寿命 发射极 辐照度 负反馈 集电极 电阻 漏极 门极 源极 传递 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于IGBT与CMOS双回路调节氙灯驱动电路，它包括辐照度传感器、调节环路、PID控制器、CMOS管、脉冲氙气灯、DC300V电源；辐照传感器将辐照度负反馈至调节环路，然后经PID控制器进行偏差调节后传递到CMOS管的栅极G；脉冲氙气灯一端接入DC300V电源，另一端接入CMOS管的漏极D；CMOS管的源极S接入DC300V电源的负极；其特征在于：它还包括匹配功率电阻和IGBT；匹配功率的一端接入IGBT的集电极C，另一端接入脉冲氙气灯和CMOS管之间；IGBT的发射极E连接到DC300V电源的负极；IGBT的门极G连接到另一个调节环路；所述IGBT的为型号ikw50n60t的IGBT；功率匹配电阻为铝壳电阻702-6-2-02，50W/33Ω/1％精度/温度系数＜±0.0001Ω/℃。
2.根据权利要求1所述的一种基于IGBT与CMOS双回路调节氙灯驱动电路，其特征在于：所述辐照度传感器在1000W/㎡辐照强度下输出2.5V电压。
3.根据权利要求1所述的一种基于IGBT与CMOS双回路调节氙灯驱动电路，其特征在于：所述脉冲氙气灯为1500W短弧脉冲氙灯。
4.根据权利要求1所述的一种基于IGBT与CMOS双回路调节氙灯驱动电路，其特征在于：所述CMOS管为型号47N60C3的CMOS管。
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