[实用新型]低导通电阻大功率MOS器件有效
| 申请号： | 201721813438.7 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207624705U | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 黄彦智;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅电极金属层 绝缘介质层 导电多晶硅 大功率MOS器件 低导通电阻 本实用新型 接触孔 绝缘栅氧化层 电性连接 沟槽周边 器件损耗 向下延伸 正向压降 弧形区 漏电流 重掺杂 衬底 淀积 关断 减小 开孔 源极 | ||
1.一种低导通电阻大功率MOS器件，包括位于有源区中源极（1）和栅极（2），有源区外围设有终端保护结构（3），所述栅极（2）自上而下包含栅电极金属层（8）、绝缘介质层（9）、绝缘栅氧化层（10）、P型掺杂层（11）、N型外延层（12）以及N型衬底（13）；
在栅电极金属层（8）下方的绝缘介质层（9）上开有接触孔（17），栅电极金属层（8）从该接触孔（17）中向下延伸至导电多晶硅（16）顶部，并与导电多晶硅（16）直接相连；所述导电多晶硅（16）淀积于沟槽（15）中，在栅电极金属层（8）下方设有沟槽（15），该沟槽（15）位于P型掺杂层（11），沟槽（15）底部伸入N型外延层（12），沟槽（15）内壁表面生长有绝缘栅氧化层（10），沟槽（15）内淀积有导电多晶硅（16），从而形成沟槽型导电多晶硅（14）；
其特征在于：一重掺杂N型弧形区（18）位于P型掺杂层（11）上部且位于沟槽（15）周边；所述沟槽（15）顶部淀积有绝缘介质层（9），并在位于导电多晶硅（16）上方的绝缘介质层（9）分别开孔，在孔内设有栅电极金属层（8），分别实现导电多晶硅（16）和源极（1）电性连接，所述栅电极金属层（8）与绝缘介质层（9）之间设置有一WSi2层（19）。
2.根据权利要求1所述的低导通电阻大功率MOS器件，其特征在于：所述重掺杂N型弧形区（18）与P型掺杂层（11）的接触面为弧形。
3.根据权利要求1所述的低导通电阻大功率MOS器件，其特征在于：所述重掺杂N型弧形区（18）的上表面与绝缘栅氧化层（10）下表面接触。
4.根据权利要求1所述的低导通电阻大功率MOS器件，其特征在于：所述重掺杂N型弧形区（18）内侧面与沟槽（15）侧壁接触。
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