[实用新型]一种光MOS继电器金丝线键合结构

说明书

一种光MOS继电器金丝线键合结构，包括电路板(1)，所述电路板(1)上焊接有焊盘A和焊盘B，所述焊盘A和焊盘B通过金丝键合线(2)电气连接，且金丝键合线(2)的一端通过第一球焊点(3)与焊盘A的上端面焊接，另一端通过第一楔焊点(4)与焊盘B的上端面焊接；所述焊盘B的上端面焊接有金丝加固线(5)，且金丝加固线(5)的一端通过第二球焊点(6)与第一楔焊点(4)焊接，另一端通过第二楔焊点(7)与焊盘B的上端面焊接。本实用新型通过增加金丝加固线，并对原楔焊点进行球焊加固，不但能提高楔形键合强度，而且实现了无尾丝长度焊接。

技术领域

本实用新型属于光MOS继电器制造技术领域，具体涉及一种光MOS继电器金丝线键合结构。

背景技术

光MOS固体继电器是一种光电隔离、功率场效应管输出的无触点开关器件。密封光MOS继电器内部电气连接一般采用25μm金丝线进行键合，金丝键合工艺采用热压键合法，第一点键合采用球焊键合工艺，第二点键合采用楔焊键合工艺，楔形键合可靠性一般较球形键合低，在应力的作用下，楔形键合更容易出现开焊、脱键现象，从而引起电气上的虚焊。

发明内容

本实用新型解决的技术问题：设计一种光MOS继电器金丝线键合结构，不但能提高楔形键合强度，而且实现了无尾丝长度焊接。

本实用新型的技术解决方案：一种光MOS继电器金丝线键合结构，包括电路板，所述电路板上焊接有焊盘A和焊盘B，其特征在于：所述焊盘A和焊盘B通过金丝键合线电气连接，且金丝键合线的一端通过第一球焊点与焊盘A的上端面焊接，另一端通过第一楔焊点与焊盘B的上端面焊接；所述焊盘B的上端面焊接有金丝加固线，且金丝加固线的一端通过第二球焊点与第一楔焊点焊接，另一端通过第二楔焊点与焊盘B的上端面焊接。

所述第二球焊点(6)位于第一楔焊点(4)的上面，且与第一楔

焊点(4)重合，并使第一楔焊点(4)形成无尾丝长度的焊点。

本实用新型与现有技术相比具有的优点和效果：本实用新型通过增加金丝加固线，并对原楔焊点进行球焊加固，不但能提高楔形键合强度，而且实现了无尾丝长度焊接。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型一种实施例的结构示意图。

具体实施方式

结合附图1、2描述本实用新型的一种实施例。

一种光MOS继电器金丝线键合结构，包括电路板(1)，所述电路板(1)上焊接有焊盘A和焊盘B，所述焊盘A和焊盘B通过金丝键合线(2)电气连接，且金丝键合线(2)的一端通过第一球焊点(3)与焊盘A的上端面焊接，另一端通过第一楔焊点(4)与焊盘B的上端面焊接；所述焊盘B的上端面焊接有金丝加固线(5)，且金丝加固线(5)的一端通过第二球焊点(6)与第一楔焊点(4)焊接，另一端通过第二楔焊点(7)与焊盘B的上端面焊接。

所述第二球焊点(6)位于第一楔焊点(4)的上面，且与第一楔焊点(4)重合，并使第一楔焊点(4)形成无尾丝长度的焊点。

本实用新型通过金丝加固线对金丝键合线的楔焊点进行加固，从而加强金丝键合线楔焊点的焊接强度，并使金丝键合线的楔焊点形成无尾丝长度的的焊点。

上述实施例，只是本实用新型的较佳实施例，并非用来限制本实用新型的实施范围，故凡以本实用新型权利要求所述内容所做的等同变化，均应包括在本实用新型权利要求范围之内。