[实用新型]一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构有效
| 申请号： | 201721818444.1 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207601502U | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 井亚会;戚丽娜;俞义长;张景超;林茂;刘利峰;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50;G03F1/60 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 邓娜 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射极接触孔 电动汽车 同一列 断开 本实用新型 版图结构 相邻两列 晶体管技术 版图设计 尺寸缩小 错位设置 横向连接 间隔设置 密度增加 中间设置 沟道 减小 元胞 芯片 重复 | ||
【权利要求书】：
1.一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构，其特征在于：包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距为0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。
2.根据权利要求1所述的一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构，其特征在于：第n列所述沟槽的顶端与第n+1列所述的沟槽的底端连接，第n+1列所述的沟槽的顶端连接第n+2列所述沟槽的中部，所述第n+2列的沟槽的顶端与第n+3列所述的沟槽的底端连接，第n+3列所述的沟槽的顶端连接第n+4列所述沟槽的中部，以此类推构成二维排布沟槽。
3.根据权利要求1所述的一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构，其特征在于：所述沟槽长度大于1.6um，且小于10um。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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