[实用新型]一种真空化学气相沉积设备中的新型反应控制喷淋装置

权利要求书

1.一种真空化学气相沉积设备中的新型反应控制喷淋装置，包括蒸发室(1)、裂解室(2)、镀膜腔室(3)、真空系统(4)，所述蒸发室(1)、裂解室(2)、镀膜腔室(3)、真空系统(4)依次通过管道(6)连通，其特征在于：所述镀膜腔室(3)进气口处设置新型CVD反应控制喷淋装置(5)，所述新型CVD反应控制喷淋装置(5)至少覆盖镀膜腔室(3)进气口一侧的有效镀膜区域截面，所述新型CVD反应控制喷淋装置(5)主进气口(51)连通主进气管路(52)，所述主进气管路(52)输出口连通二路分进气管路(53)，所述分进气管路(53)后级再依次设置N级分进气管路，其中N级分进气管路的前一级分进气管路输出口连通两路后一级分进气管路，其中N≥2。

2.如权利要求1所述的一种真空化学气相沉积设备中的新型反应控制喷淋装置，其特征在于：所述N级分进气管路的第N级设置出气孔。

3.如权利要求1所述的一种真空化学气相沉积设备中的新型反应控制喷淋装置，其特征在于：所述N级分进气管路的前一级分进气管路截面积为后一级分进气管路截面积的两倍。

4.如权利要求1所述的一种真空化学气相沉积设备中的新型反应控制喷淋装置，其特征在于：所述N级分进气管路截面形状为矩形、圆形或椭圆形。

5.如权利要求4所述的一种真空化学气相沉积设备中的新型反应控制喷淋装置，其特征在于：所述矩形管道短边长度、圆形管道直径或椭圆形型管道短轴直径大于等于真空状态下气体分子平均自由程λ，其中其中K_B表示波尔兹曼常数(1.380662±0.000044)×10^-23J·K^-1，d表示分子有效直径，P表示分子所处空间的压强，T表示分子所处环境的温度，温度的单位为K。

6.如权利要求1所述的一种真空化学气相沉积设备中的新型反应控制喷淋装置，其特征在于：所述新型CVD反应控制喷淋装置(5)根据整个镀膜腔室(3)进气口一侧的腔室截面形状不同，设计成包含但不限于长方体、半中空圆柱、圆柱体形状。