[实用新型]一种多电源上电监控电路结构

权利要求书

1.一种多电源上电监控电路结构，其特征在于，包括：电压基准模块、模拟电源上电监控模块、数字逻辑电源上电监控模块和高压驱动电源上电监控模块、第六反相器(148)、第七反相器(149)、或非门；

电压基准模块、模拟电源上电监控模块顺次相连后连接第六反相器(148)的输入端，数字逻辑电源上电监控模块连接第七反相器(149)的输入端，第六反相器(148)的输出端和第七反相器(149)输出端合并为一端连接或非门的输入端，或非门的输出端连接高压驱动电源上电监控模块，高压驱动电源上电监控模块向外部输出使能信号。

2.根据权利要求1所述的一种多电源上电监控电路结构，其特征在于，所述电压基准模块包括：NPN管NPN1、NPN管NPN2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、第一运放(103)和第二运放(104)；

NPN管NPN1集电极接外部电源，NPN管NPN1基极接第一运放(103)的正输入端和第二运放(104)的输出端，NPN管NPN1发射极接电阻R7的一端和运放(104)负端，第二运放(104)的正输入端接电阻R8一端，第二运放(104)的负输入端接电阻R7的一端，电阻R7的另一端接地；NPN管NPN2集电极接外部电源，NPN管NPN2基极接第一运放(103)的正输入，NPN管NPN2发射极接电阻R5一端，电阻R5另一端连接电阻R8一端和第二运放(104)正输入端，电阻R8另一端接地；第一运放(103)负输入端接电阻R6的一端和电阻R9的一端，第一运放(103)输出端和电阻R6的另一端并联向模拟电源上电监控模块输出参考电压，电阻R9的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的一种多电源上电监控电路结构，其特征在于，所述模拟电源上电监控模块包括：PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP14、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、MOS管MN8、NMOS管MN9、第一反相器(120)和第二反相器(121)；

PMOS管MP1的源极接外部电源和PMOS管MP3的源级，PMOS管MP1 栅极接收电压基准模块输入的参考电压，PMOS管MP1漏极分别接PMOS管MP14的漏极、NMOS管MN8的漏极、NMOS管MN5的栅极以及NMOS管MN5的漏极和NMOS管MN7的栅极，还接了第二反相器(121)的输入端；PMOS管MP14的栅极分别接了PMOS管MP3的漏极、NMOS管MN7的漏极、第一反相器(120)的输入端、NMOS管MN9的栅极、PMOS管MP2的栅极；PMOS管MP14的源极分别接了NMOS管MN8的栅极和NMOS管MN9的漏极；NMOS管MN9的源极接地；NMOS管MN8的源极接地；NMOS管MN5的源极接地；第二反相器(121)的输出端接NMOS管MN6的栅级；PMOS管MP2的源极接电源，PMOS管MP2的漏极分别接PMOS管MP3的栅极、NMOS管MN6的漏极；NMOS管MN6的源极接地；NMOS管MN7的源极接地；第一反相器(120)的输出端向数字逻辑电源上电监控模块输出使能信号。

4.根据权利要求1所述的一种多电源上电监控电路结构，其特征在于，所述数字逻辑电源上电监控模块包括：PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、第三反相器(145)、第四反相器(146)、第五反相器(147)；

PMOS管MP5源极接W外部电源，PMOS管MP5的栅极和漏极连接在一起和PMOS管MP6的源极连接；PMOS管MP6的栅极和漏极连接在一起和PMOS管MP7的源极连接；PMOS管MP7栅极接地，PMOS管MP7漏极分别连接PMOS管MP8的漏极、第三反相器(145)的输入端、电容C1的正极，PMOS管(143)的栅极和电容C1的负极连接在一起接地；PMOS管MP8的源极接外部电源，PMOS管MP8的栅极分别接第三反相器(145)的输出和第四反相器(146)的输入端；第五反相器(147)的输入端接第四反相器(146)的输出端；第五反相器(147)的输出端向高压驱动电源上电监控模块输出使能信号。