[实用新型]一种霍尔基片结构及霍尔传感器

说明书

本申请实施例提供的一种霍尔基片结构及霍尔传感器，涉及半导体器件技术领域，所述锁存器包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题，达到了保证对N阱区的挤压效果，形成的N阱尺寸精度高，易于控制的技术效果。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种霍尔基片结构及霍尔传感器。

背景技术

霍尔传感器一种高性能磁信号响应传感器。其中霍尔基片是利用霍尔效应原理响应磁场信号的主要部件。

目前已知技术采用增加P型掺杂的方式来提高霍尔基片的灵敏度，一般是通过P型掺杂在半导体中的扩散效果形成的，原则上P型掺杂扩散越深，造成对N阱区域挤压效果，有效N阱区会越窄，这样能够更好的提高灵敏度。

但本申请申请人在实现本申请实施例中申请技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题。

实用新型内容

本申请实施例通过提供一种霍尔基片结构，解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题，达到了保证对N阱区的挤压效果，形成的N阱尺寸精度高，易于控制的技术效果。

鉴于上述问题，提出了本申请实施例以便提供一种霍尔基片结构。

一方面，本申请实施例提供了一种霍尔基片结构，所述霍尔基片结构包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。

优选的，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为挖槽刻蚀方式形成。

优选的，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为二氧化硅填充区。

另一方面，本申请实施例还提供了一种霍尔传感器，所述霍尔传感器包括霍尔基片结构，其中，所述霍尔基片结构包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。

优选的，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为挖槽刻蚀方式形成。

优选的，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为二氧化硅填充区。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

1.本申请实施例提供的一种霍尔基片结构，所述霍尔基片结构包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题，达到了保证对N阱区的挤压效果，形成的N阱尺寸精度高，易于控制的技术效果。

2.本申请实施例通过将所述氧化层填充区设置为挖槽刻蚀方式形成，以及所述氧化层填充区为二氧化硅填充区。进一步解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题，达到了能较好的控制所需N型薄片的厚度，同时不存在局部穿通的影响的技术效果。