[实用新型]超结场效应管有效
| 申请号： | 201721831506.2 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207676910U | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 吴多武;马清杰;许正一 | 申请（专利权）人： | 南京方旭智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 徐丽 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 场效应管 超结 栅极源极 第一端 漏极层 空穴 本实用新型 载流子平衡 导通状态 电压波形 反向恢复 相对设置 嵌入 震荡 电路 | ||
1.一种超结场效应管，其特征在于，包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层；
所述PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，所述第一端与所述栅极源极层连接；
所述P型补偿半导体层嵌入在所述第二端与所述漏极层的连接处，用于在所述超结场效应管处于反向恢复的过程中时，所述P型补偿半导体层与所述PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使所述PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持所述PN结型半导体层中的载流子平衡。
2.根据权利要求1所述的超结场效应管，其特征在于，所述P型补偿半导体层嵌入在所述第二端的中心处，所述P型补偿半导体层和所述第二端均与所述漏极层连接。
3.根据权利要求2所述的超结场效应管，其特征在于，所述PN结型半导体层包括：第一P型半导体层、第二P型半导体层和N型半导体层；
所述N型半导体层具有相对设置的第三端和第四端，所述第三端位于所述第一端上，所述第四端位于所述第二端上，所述P型补偿半导体层嵌入在所述第四端的中心处以设置在所述N型半导体层内，所述N型半导体层的轴线的方向为所述第三端指向所述第四端的方向；
所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层均沿所述轴线对称设置于所述N型半导体层的周面。
4.根据权利要求3所述的超结场效应管，其特征在于，所述N型半导体层为由第一N型半导体材料制成。
5.根据权利要求3所述的超结场效应管，其特征在于，所述漏极层包括：衬底层和漏极电极层；
所述衬底层具有相对设置的第五端和第六端，所述第五端分别与所述第二端和所述P型补偿半导体层连接，所述第六端与所述漏极电极层连接。
6.根据权利要求5所述的超结场效应管，其特征在于，所述栅极源极层包括：源极层、介质层和栅极层，所述源极层与所述第一端连接并套设所述介质层，所述介质层与所述第一端连接并套设所述栅极层，所述栅极层与所述第一端连接。
7.根据权利要求6所述的超结场效应管，其特征在于，所述源极层包括：源极电极层、第一源极有源层和第二源极有源层；
所述源极电极层套设所述介质层并与所述第一端上的所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层均连接；
所述第一源极有源层嵌入所述第一P型半导体层并与所述源极电极层、所述介质层和所述栅极层均连接；
所述第二源极有源层嵌入所述第二P型半导体层并与所述源极电极层、所述介质层和所述栅极层均连接。
8.根据权利要求7所述的超结场效应管，其特征在于，所述第一源极有源层和所述第二源极有源层均由第二N型半导体材料制成。
9.根据权利要求8所述的超结场效应管，其特征在于，所述第二N型半导体材料的浓度大于制成所述N型半导体层的第一N型半导体材料的浓度。
10.根据权利要求9所述的超结场效应管，其特征在于，所述栅极层包括：栅极电极层和多晶硅层；
所述栅极电极层与所述第一端连接，所述栅极电极层和所述多晶硅层贴合并均被所述介质层套设。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京方旭智芯微电子科技有限公司，未经南京方旭智芯微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721831506.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高压双向晶闸管
- 下一篇：基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管
- 同类专利
- 专利分类
