[实用新型]一种基于分数阶忆阻器的分数阶混沌电路有效

专利信息
申请号: 201721832256.4 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN207652452U 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 杨宁宁;吴朝俊;徐诚;贾嵘 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H04L9/00 分类号: H04L9/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 李娜
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 分数阶 忆阻器 混沌电路 本实用新型 电容两端 吸引子 电容 并联 电感 闭合回路 电路仿真 电路结构 电路实现 理论研究 数值仿真 依次连接 重要意义 单涡卷 双涡卷 无接地 负阻 实物 研究
【权利要求书】:

1.一种基于分数阶忆阻器的分数阶混沌电路,其特征在于,包括依次连接且形成闭合回路的分数阶电容分数阶电容分数阶电感Lq,所述分数阶电容两端并联有分数阶忆阻器Mq,所述分数阶电容两端并联负阻G。

2.如权利要求1所述一种基于分数阶忆阻器的分数阶混沌电路,其特征在于,所述分数阶忆阻器Mq是由一个二极管桥式电路并联一阶RC滤波器构成,所述一阶RC滤波器中电容C为分数阶电容

3.如权利要求2所述一种基于分数阶忆阻器的分数阶混沌电路,其特征在于,所述分数阶电容分数阶电容分数阶电容均包括电阻Rin串联多个电容Cn,n表示串联电容的第n个,每个所述电容Cn两端均并联一个电阻Rn

4.如权利要求2所述一种基于分数阶忆阻器的分数阶混沌电路,其特征在于,所述二极管桥式电路包括正负端串联的二极管VD1、二极管VD2,所述二极管VD1、二极管VD2串联电阻R形成闭合回路,所述二极管VD1、二极管VD2的两端并联有正负端串联的二极管VD3、二极管VD4,所述二极管VD1、二极管VD2的两端并联分数阶电容

5.如权利要求1所述一种基于分数阶忆阻器的分数阶混沌电路,其特征在于,所述分数阶电感Lq包括电阻Rim,所述电阻Rim并联多个RL等效电路,每个所述RL等效电路均包括一个相互串联的电阻Rm、电感Lm,m表示并联RL等效电路的第m个。

6.如权利要求1所述一种基于分数阶忆阻器的分数阶混沌电路,其特征在于,所述负阻G包括运算放大器,所述运算放大器正端和输出端之间由电阻Ra1连接,所述运算放大器负端和输出端之间由电阻Ra2连接,所述运算放大器的负端连接一电阻Rb

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