[实用新型]一种磁控溅射式物理气相沉积设备

权利要求书

1.一种磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，包括：

工艺腔室；

溅射组件，所述溅射组件设置在所述工艺腔室的第一侧壁上，所述溅射组件包括用于支撑靶材的支撑件；

等离子体产生组件，设置在所述工艺腔室的第二侧壁上，所述第二侧壁与所述第一侧壁相垂直，所述等离子体产生组件包括电子枪和氩气设备；所述电子枪向所述工艺腔室中发射电子，所述氩气设备向所述工艺腔室中充入氩气；

氧气设备，所述氧气设备向所述工艺腔室中充入氧气；

补偿挡板，设置在所述工艺腔室中正对所述支撑件的方向。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，所述补偿挡板旋转连接在所述工艺腔室的侧壁上。

3.根据权利要求1所述的磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，所述补偿挡板为方形板，所述补偿挡板上开设有第一空槽组和第二空槽组，所述第一空槽组和所述第二空槽组沿所述补偿挡板的纵向中心轴对称分布。

4.根据权利要求3所述的磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，所述第一空槽组包括多个第一空槽，多个所述第一空槽的长度依次递增，且长度较长的第一空槽靠近所述补偿挡板的一侧边缘；

所述第二空槽组包括第二空槽，多个所述第二空槽的长度依次递增，且长度较长的第二空槽靠近所述补偿挡板的另一侧边缘。

5.根据权利要求1所述的磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，所述溅射组件还包括辅助阳极板和两第一磁铁，所述辅助阳极板包覆在所述支撑件的周围；两所述第一磁铁位于所述辅助阳极板的两侧；

所述等离子体产生组件还包括阴极板和两第二磁铁，所述阴极板与所述电子枪连接，两所述第二磁铁位于所述阴极板的两侧；

所述辅助阳极板和所述阴极板通电后，与所述第一磁铁和第二磁铁形成正交电磁场。

6.根据权利要求5所述的磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，所述支撑件包括底柱和用于支撑靶材的支撑板，所述底柱与所述支撑板背对所述工艺腔室的一侧固定连接；所述辅助阳极板包覆于所述底柱的周围。

7.根据权利要求1所述的磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，所述工艺腔室包括用于传送需加工基片的传送室，所述传送室设置在所述支撑件的对面。

8.根据权利要求1所述的磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，还包括用于测量氩气流量的第一流量计，所述第一流量计连接在所述氩气设备上。

9.根据权利要求1所述的磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，还包括用于测量氧气流量的第二流量计，所述第二流量计连接在所述氧气设备上。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，所述氧气设备设在所述工艺腔室的第三侧壁上，所述第三侧壁与所述第一侧壁相对。