[实用新型]一种太阳能电池有效
| 申请号： | 201721847099.4 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN208256704U | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 盐城普兰特新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 何建华 |
| 地址： | 224000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 本征非晶硅层 膜层 碳硅 本实用新型 基板 短路电流 太阳能电池技术 | ||
1.一种太阳能电池，包括基板、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、第一TCO膜层和第二TCO膜层，其特征在于：还包括n型碳硅膜层和p型碳硅膜层，所述基板的第一面向外依次形成第一本征非晶硅层、p型碳硅膜层和第一TCO膜层，所述基板的第二面向外依次形成第二本征非晶硅层、n型碳硅膜层和第二TCO膜层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述基板为单晶硅片或多晶硅片；所述第一本征非晶硅层为氢化第一本征非晶硅层，所述第二本征非晶硅层为氢化第二本征非晶硅层。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述n型碳硅膜层为n型非晶态碳硅膜层、n型微晶态碳硅膜层或它们的叠层组合，所述p型碳硅膜层为p型非晶态碳硅膜层、p型微晶态碳硅膜层或它们的叠层组合。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述n型碳硅膜层由一层或多层组成，所述n型碳硅膜层为氢化n型碳硅膜层；所述p型碳硅膜层由一层或多层组成，所述p型碳硅膜层为氢化p型碳硅膜层。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一TCO膜层和第二TCO膜层上分别设置有栅线电极。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一TCO膜层上设置有栅线电极，所述第二TCO膜层上形成有金属膜层，所述金属膜层覆盖第二TCO膜层的大部分区域，所述金属膜层为一层或多层；或所述第二TCO膜层上设置有栅线电极，所述第一TCO膜层上形成有金属膜层，所述金属膜层覆盖第一TCO膜层的大部分区域，所述金属膜层为一层或多层。
7.根据权利要求5或6所述的太阳能电池，其特征在于：所述栅线电极为银栅线电极、铜栅线电极或它们的组合。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅层与p型碳硅膜层之间设有一p型非晶硅膜层和/或p型微晶硅膜层，和/或所述第二本征非晶硅层与n型碳硅膜层之间设有一n型非晶硅膜层和/或n型微晶硅膜层。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一TCO膜层上设有一减反射膜层，和/或所述第二TCO膜层上设有一减反射膜层，所述减反射膜层由一层或多层组成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
